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2024-07
Nexperia品牌PESD3V3X1BL,315静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM DFN1006-2的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD3V3X1BL,315静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM DFN1006-2的技术和方案应用介绍 Nexperia PESD3V3X1BL是一款高性能的静电保护ESD芯片TVS DIODE,专为3.3V微处理器和IC设计,提供优异的静电防护性能。其技术特点和方案应用,在电子产品中起着至关重要的作用。 技术特点: 1. 高性能静电保护:PESD3V3X1BL具有出色的静电防护性能,能有效抑制静电放电(ESD)攻击,保护微处理器和IC不受损坏。 2. 快
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2024-07
Nexperia品牌PESD3V3U1UB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD3V3U1UB静电保护芯片:技术与应用详解 Nexperia PESD3V3U1UB是一款高性能静电保护芯片,其型号为PESD3V3U1UB,适用于各种电子设备中静电防护的应用场景。这款静电保护芯片采用ESD技术,具有快速响应、低漏电流、高钳压等优点,能够有效保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。 技术特性: 1. 快速响应时间:在接触ESD事件时,PESD3V3U1UB能够在纳秒级别内启动保护,确保设备不受损害。 2. 高钳压:在ESD事件发生时,PESD3V3
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2024-07
Nexperia品牌PESD5V0U1UA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM SOD323的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0U1UA是一款高性能静电保护芯片,型号为PESD5V0U1UA,是一款5V电压的静电保护芯片,采用SOD323封装。这款静电保护芯片具有极佳的静电保护性能,能够有效地保护电路免受静电和浪涌的损害。 该静电保护芯片具有快速响应特性,当电路受到静电冲击时,该芯片可以迅速导通,将电路与外部电路隔离,从而有效地保护电路不受损坏。同时,该芯片还具有极低的静态电流和优异的温度性能,可以在高温和高湿度环境下稳定工作。 技术应用: 在电子设备中,静电保护是非常重要的。静电和浪涌
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2024-07
Infineon品牌ESD110B102ELE6327XTMA1静电保护ESD芯片TVS DIODE 18.5VWM 29VC TSLP-2-20的技术和方案应用介绍
标题:Infineon品牌ESD110B102ELE6327XTMA1静电保护芯片技术与应用介绍 随着电子设备的普及,静电保护(ESD)已成为一项重要的技术需求。在此领域,Infineon的ESD110B102ELE6327XTMA1静电保护芯片以其卓越的性能和可靠性,成为了业界的佼佼者。 ESD110B102ELE6327XTMA1是一款高性能的静电保护芯片,其工作电压范围为18.5V至29V,具有极低的电容和电感,能够快速响应并吸收瞬态电流,从而有效地保护电子设备免受静电和其他瞬态干扰的影
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2024-07
Nexperia品牌PESD3V3U1UA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD323的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD3V3U1UA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD323的技术和方案应用介绍 Nexperia PESD3V3U1UA是一款高性能的静电保护ESD芯片TVSDIODE,专门用于保护电子设备免受静电和瞬态电压的干扰。该芯片采用SOD323封装,具有3.3V的工作电压和快速响应时间,适用于各种应用场景。 技术特点: * 工作电压低:3.3V,适合低功耗应用; * 快速响应时间:可在纳秒级内将瞬态电压抑制在设备可承受的范围内; * 封装形式:
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2024-07
Nexperia品牌PESD5V0U1BA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM SOD323的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0U1BA静电保护芯片技术与应用介绍 Nexperia PESD5V0U1BA是一款高品质的静电保护芯片,其独特的性能和出色的可靠性使其在各种应用中发挥重要作用。本篇文章将详细介绍PESD5V0U1BA的技术特点和方案应用。 技术特点: 1. Nexperia PESD5V0U1BA采用PESD5V0U1BA品牌,具备优异的静电防护性能,能有效保护电路免受静电和瞬间电磁干扰的损害。 2. 该芯片具有快速瞬态响应特性,可在极短的时间内吸收瞬态能量,从而有效地抑制瞬态
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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ5.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ5.0A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS Diode,它采用5VWM和9.2VC的规格,适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片采用DO214AC封装形式,具有优异的电气性能和可靠性。 SMAJ5.0A采用先进的半导体技术,具有快速响应和低漏电流的特点。它能在短时间内吸收大量的静电电荷,从而保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。此外,该芯片具有极低的接触电阻,可以有效地将静电能量吸收到芯片内部,避免了静电能量向外部电路的扩散,从而降低了对周围电路的影响。
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2024-07
onsemi品牌SD12T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19VC SOD323的技术和方案应用介绍
标题:onsemi品牌SD12T1G静电保护芯片:技术与应用 onsemi品牌的SD12T1G静电保护ESD芯片,是一款出色的静电保护器件,具有TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管的特性,专为解决各种电气装置在恶劣环境下的静电防护问题而设计。该款芯片采用了SOD323封装,适用于各种12V的系统电压,具有卓越的电气性能和可靠性。 技术特点上,SD12T1G采用了先进的半导体工艺技术制造,具有极低的内阻,可以快速吸收大量的瞬时静电能量,从而有效地保护电子设备免
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2024-07
Infineon品牌ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.3VWM 21VC TSLP-2-20的技术和方案应用介绍
标题:Infineon品牌ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护芯片TVS二极管技术与应用介绍 随着电子设备的普及,静电保护的需求也日益增长。在此背景下,Infineon公司推出的ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护芯片,以其卓越的性能和广泛的应用领域,成为了业界的焦点。 ESD112B102ELE6327XTMA1是一款高效的静电保护芯片,采用TVS二极管技术,具有极低的电容和高速响应的特点。其工作电压为5.3V,最大承受电流为21V,具有极高的脉冲功率和极低的
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2024-07
onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 3VWM 8VC SC74的技术和方案应用介绍
标题:onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS二极管DIODE的技术和方案应用介绍 onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS二极管DIODE,是一款广泛应用于各类电子设备的静电保护器件。它采用先进的静电保护技术,具有高吸收电流能力、低钳位电压、低插入损耗、高可靠性和长寿命等特性,是电子设备防静电保护的理想选择。 首先,从技术角度看,该芯片采用了高速瞬态电压抑制器技术,具有极低的电容性,能够有效抑制瞬态电压和浪涌电流。同时,其独特的芯片结构和优化设计,使其
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2024-07
Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 8V 0603/SOD523F的技术和方案应用介绍
标题:Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVSDIODE技术与应用介绍 Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVSDIODE是一种专门针对静电放电(ESD)攻击进行保护的半导体器件。它采用先进的工艺技术和独特的电路设计,能够在极短的时间内吸收大量的瞬时电流,将电流的冲击降到最低,从而保护其他电子设备免受ESD的损害。 该芯片采用3.3VWM 8V的电压规格,具有0603/SOD523F两种封装形式,适用于各种电子设备的静电保护需求。其技术特点包括高钳压速度
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2024-07
Diodes品牌SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVSDIODE,专为高电压、高电流应用环境设计。其工作电压低于40V,能承受超过64.5V的静电冲击,有效保护周边电子设备免受静电放电(ESD)的损害。 该芯片采用SMA(小型连接器)封装,具有较小的体积和优良的热传导性能,有利于提高电路的稳定性和可靠性。技术参数方面,其响应时间短,钳位电压