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2025-05
Littelfuse品牌SMCJ16A静电保护ESD芯片TVS DIODE 16VWM 26VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMCJ16A静电保护ESD芯片TVS二极管的技术与方案应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商,其品牌SMCJ16A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用TVS技术,具有出色的浪涌抑制能力。该芯片采用DO214AB封装,适用于各种电子设备的静电保护应用。 SMCJ16A芯片采用先进的TVS技术,具有极低的反向漏电流和箝位时间,能够快速地将瞬态电压抑制在设备可以承受的范围内,从而有效地保护内部电路不受损坏。该芯片还具有出色的温度系数控制
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2025-05
Littelfuse品牌SMCJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMCJ60A静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商,其品牌SMCJ60A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用DO214AB封装,具有60VWM的额定电压和96.8VC的箝位电压,适用于各种电子设备的静电保护应用。 SMCJ60A采用先进的半导体技术,具有快速响应、低漏电流、高钳压比等特点,能够在瞬间承受高电压静电的冲击,从而有效地保护电子设备免受静电损伤。该器件具有较高的击穿可靠性和稳定性,适用
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2025-05
Littelfuse品牌SMCJ64A静电保护ESD芯片TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMCJ64A静电保护ESD芯片TVS DIODE 64VWM 103VC DO214AB的技术与方案应用介绍 Littelfuse品牌的SMCJ64A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用64VWM的电压规格和103VC的浪涌电流能力,具有出色的防护效果。该芯片采用DO214AB封装,使得它在恶劣环境下也能保持良好的性能。 在技术方面,SMCJ64A采用了先进的半导体工艺,具有高开关速度和低电容特性,能够快速吸收瞬态电压,有效地保护电子设备不受静电的损害。
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2025-05
Littelfuse品牌SMCJ58A静电保护ESD芯片TVS DIODE 58VWM 93.6VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMCJ58A静电保护ESD芯片TVS diode在多种技术方案中应用广泛 Littelfuse品牌SMCJ58A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,它采用了先进的TVS技术,可以有效地保护电子设备免受静电放电的危害。在技术方案方面,我们可以通过以下几个方面进行介绍: 首先,该芯片采用了DO214AB封装形式,具有优异的电气性能和可靠性。其次,它采用了58VWM的工作电压范围,能够适应各种不同电压等级的设备需求。此外,该芯片还具有93.6VC的瞬态浪涌抑制能力
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2025-05
Littelfuse品牌AQ4022-01FTG-C静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 33VC SOD323的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌AQ4022-01FTG-C静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Littelfuse的AQ4022-01FTG-C静电保护ESD芯片是一款高性能的12VWM 33VC SOD323 TVS二极管,适用于各种电子设备的静电保护。 首先,我们来了解一下AQ4022-01FTG-C的基本技术特性。它具有快速瞬态切换特性和低电容特性,可有效吸收高能量瞬态电磁干扰,为设备提供可靠的保护。此外,该芯片具有低电容、低阻抗和快速响应时间等特点,能够快速响应瞬态电压变化,
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2025-05
Littelfuse品牌SP1001-04JTG静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 13VC SC70-5的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SP1001-04JTG静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 13VC SC70-5技术与应用介绍 Littelfuse的SP1001-04JTG是一款高性能静电保护ESD芯片TVS Diode,它采用SC70-5封装,适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有5.5V的工作电压范围,具有极低的电容和电感,快速响应时间,高钳压和低漏电流等特点。 在技术方面,SP1001-04JTG采用了先进的半导体工艺技术,包括先进的半导体材料和高频微电子技术。它能够在
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2025-05
Littelfuse品牌SMCJ30A静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AB的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌的SMCJ30A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用DO214AB封装,适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片采用先进的TVS技术,具有快速响应、低漏电流、高钳压、大功率等特点,可有效抑制瞬态过电压和瞬态过电流对电子设备的损害。 技术特点: 1. 快速响应:该芯片能够在纳秒级内将电压降至安全水平,有效抑制瞬态过电压。 2. 低漏电流:该芯片在正常工作状态下,漏电流极低,不会对电路造成额外负担。 3. 高钳压:该芯片能够承受高达48.4V的电压,适用于各种
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2025-05
Semtech品牌SM12.TCT静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19VC SOT23-3的技术和方案应用介绍
标题:Semtech SM12.TCT静电保护芯片:12VWM 19VC SOT23-3技术与应用详解 Semtech的SM12.TCT静电保护ESD芯片,以其独特的12VWM 19VC SOT23-3封装形式,成为电子设备防静电损坏的重要元件。这款TVS二极管,以其卓越的性能和可靠性,广泛应用于各种需要静电防护的领域。 SM12.TCT静电保护芯片采用先进的半导体技术,具有极低的插入损耗,保证了电路的高效运行。其高速响应特性,使它能有效抑制瞬态电压,保护电路免受静电和电感性负载引起的干扰。此
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2025-05
Semtech品牌SM36.TCT静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 60VC SOT23-3的技术和方案应用介绍
标题:Semtech SM36.TCT静电保护芯片:高效、可靠的静电保护方案 Semtech的SM36.TCT静电保护芯片是一款优秀的TVS二极管产品,适用于各种电子设备的静电防护。此款芯片采用了先进的SOT23-3封装技术,具有多种关键参数,如36V的电压阈值,60V的电容阈值等。这些参数保证了其在各种应用环境中的稳定性和可靠性。 首先,SM36.TCT静电保护芯片的技术特点显著。它采用了先进的半导体工艺,具有快速响应、低电容、高可靠性的优点。同时,其SOT23-3封装设计使得其在空间有限的
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2025-05
Semtech品牌SM24.TCT静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 43VC SOT23-3的技术和方案应用介绍
标题:Semtech SM24.TCT静电保护芯片——24VWM 43VC TVS二极管技术应用介绍 Semtech品牌SM24.TCT静电保护ESD芯片,是一种适用于各种电子设备的高效能静电保护器件,具有TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管技术。这款产品以其高防护等级,适用于各种环境复杂的应用场景,特别在24VWM和43VC电压规格下表现尤为出色。 TVS二极管技术,是一种专门用于抑制瞬间过电压和过电流的半导体器件。当电路受到瞬态电压干扰时,TVS能够迅速
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2025-05
TI品牌TPD2E009DBZR静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT23-3的技术和方案应用介绍
TI品牌TPD2E009DBZR静电保护ESD芯片TVSDIODE 5.5VWM 8VC SOT23-3技术应用介绍 TI品牌TPD2E009DBZR是一款优秀的静电保护ESD芯片,采用TVSDIODE技术,具有出色的静电防护性能。该芯片可广泛应用于各种电子设备中,尤其是在需要防止静电损坏的场合。 TPD2E009DBZR采用先进的5.5VWM 8VC SOT23-3封装形式,具有体积小、效率高等特点。该芯片可在瞬间吸收大量的静电能量,将静电电压控制在安全范围内,从而保护电路不受损坏。 应用方
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2025-05
TI品牌TPD2E001DZDR静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 4SOP的技术和方案应用介绍
TI品牌TPD2E001DZDR静电保护ESD芯片TVS器件应用介绍 TI品牌TPD2E001DZDR是一款高性能的静电保护ESD芯片,采用TVS(Transient Voltage Suppressor)DIODE技术,具有出色的静电防护性能。该器件适用于各种电子设备的静电保护,尤其适用于需要高防护等级的场合。 TPD2E001DZDR采用5.5VWM的4SOP封装形式,具有体积小、防护效果好、响应速度快、可靠性高等特点。其工作原理是当设备受到静电冲击时,TVS器件迅速导通,将静电电流导入地

