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2024-11
Nexperia品牌PESD5V0X1UAB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0X1UAB：高效静电保护解决方案 Nexperia PESD5V0X1UAB是一款高效静电保护芯片，它具有ESD（静电保护）技术，能够有效地保护电子设备免受静电和瞬态电压的影响。这款芯片采用SOD523封装，具有紧凑的尺寸和低成本优势，非常适合于空间受限的应用场景。 技术特点： 1. 快速响应时间：ESD芯片具有极低的电容和电阻，能够在纳秒级的时间内将瞬态电压抑制在设备安全范围内。 2. 高效保护：PESD5V0X1UAB能够承受高达9000V的静电电压，为设备
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2024-11
Comchip品牌ATV02W360-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SOD123的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌ATV02W360-HF静电保护ESD芯片TVS器件应用介绍 Comchip品牌ATV02W360-HF静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，采用SOD123封装，具有36VWM和58.1VC的技术参数。这款芯片采用先进的技术方案，能够有效防止静电损伤，具有极低的电容和电感，能够快速响应瞬态电压电流的变化，确保电路的稳定性和可靠性。 ATV02W360-HF静电保护ESD芯片TVS器件在各种电子设备中有着广泛的应用。特别是在高精密、高集成度的电子设备中，由于其结
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2024-11
STM品牌ESDCAN05-2BWY静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 61VC SOT323-3的技术和方案应用介绍
STM品牌ESDCAN05-2BWY静电保护ESD芯片TVS二极管DIODE 36VWM 61VC SOT323-3技术与应用介绍 STM品牌ESDCAN05-2BWY静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS二极管DIODE 36VWM技术，具有高吸收电流、低钳位电压、快速响应等特点，适用于各种电子设备的静电保护。 该芯片采用SOT323-3封装形式，具有体积小、重量轻、易于安装等特点。其核心采用61VC技术，具有高击穿电压和低漏电流的性能，使其在高压冲击下能够快速吸收电流，有
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2024-11
MCC品牌ESD5V0D3B-TP静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 13.5VC SOD323的技术和方案应用介绍
MCC品牌ESD5V0D3B-TP静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 MCC品牌一直以来以其卓越的品质和精湛的技术，在电子元器件领域享有盛誉。ESD5V0D3B-TP静电保护芯片，作为其一款高性能的ESD保护器件，采用TVS二极管技术，具有极低的反向漏电流和快速响应特性，能够有效保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。 ESD5V0D3B-TP静电保护ESD芯片采用SOD323封装，具有体积小、易于安装的特点。其工作电压为5V，能够承受的最大直流电压为13.5V，具有高吸收能能力，
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2024-11
Diodes品牌DRTR5V0U4S-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM SOT363的技术和方案应用介绍
Diodes品牌DRTR5V0U4S-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM SOT363技术与应用介绍 Diodes品牌推出的DRTR5V0U4S-7是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用TVS技术，型号为DIODE 5.5VWM SOT363。这款芯片具有出色的静电防护性能，适用于各种电子设备的保护工作。 DRTR5V0U4S-7芯片采用TVS技术，具有极低的响应时间，可以快速响应静电放电（ESD）攻击，有效保护电子设备免受静电放电的损害。此外，该芯片还具有极低的电容和内阻，可
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2024-11
onsemi品牌NUP4114UCLW1T2G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 10V SC88/SC70-6的技术和方案应用介绍
标题：onsemi NUP4114UCLW1T2G静电保护芯片——5.5VWM至10V SC88/SC70-6应用中的防静电TVS方案 onsemi NUP4114UCLW1T2G是一款高效的静电保护芯片，其特性的静电保护元件TVS（Transient Voltage Suppressor）技术，能有效防止静电、雷击等瞬态电压对电路的损害。这款ESD芯片在各种恶劣环境下均表现出色，适用于各种电子设备。 在5.5VWM至10V SC88/SC70-6的应用中，onsemi NUP4114UCLW
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2024-11
Littelfuse品牌SMBJ10CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ10CA是一款优秀的静电保护ESD芯片TVS DIODE 10VWM 17VC DO214AA，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片采用先进的半导体技术，具有高瞬态浪涌吸收能力，能够有效保护电路免受静电、雷击等引起的瞬间过电压和过电流的损害。 SMBJ10CA芯片采用DO214AA封装，具有优良的电气性能和机械性能，适用于各种恶劣环境下的电子设备防护。其响应时间快、吸收能力强、通流容量大等特点，使其在各种瞬态浪涌情况下都能保持稳定的性能。 该芯片适用于各种电
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2024-11
Littelfuse品牌SMBJ33CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌旗下的SMBJ33CA静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，它具有DO214AA的封装技术，适用于各种电子设备的静电保护应用。该芯片采用先进的半导体工艺技术制造而成，具有高可靠性、低噪音、快速响应、低反向电压等特点，适用于各种恶劣环境下的静电保护。 在应用方面，SMBJ33CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA可以广泛应用于各种电子设备的接口、电路板、芯片等关键部位，可以有效防止静电、雷击等多种因素对电子设备的损害。同
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2024-11
Littelfuse品牌SMBJ15CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 15VWM 24.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ15CA静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 Littelfuse品牌旗下的SMBJ15CA静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS技术，具有出色的浪涌保护性能。该芯片采用DO214AA封装，适用于各种电子设备的静电保护应用。 SMBJ15CA芯片采用先进的TVS二极管技术，具有极低的反向漏电流和钳位电压，能够有效地抑制瞬态电压的侵入，保护电子设备免受电涌的损坏。该芯片的钳位电压为24.4V，工作电压范围为15V至25V，适用于各种电压范
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2024-11
Littelfuse品牌SMBJ12CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌旗下的SMBJ12CA静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用DO214AA封装技术，具有多种应用方案。本文将详细介绍SMBJ12CA的技术特点和方案应用，以帮助读者更好地了解该产品的优势和应用前景。 一、技术特点 SMBJ12CA静电保护ESD芯片采用先进的TVS技术，具有高瞬态电压抑制能力，能够有效吸收瞬态浪涌电流。该芯片具有低电容、低电感、低插入损耗等特点，适用于各种电子设备的静电保护。此外，该芯片还具有极低的反向漏电流和开关时间，能够提供快速瞬态响应和
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2024-11
Littelfuse品牌SMBJ28CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ28CA静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMBJ28CA静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS技术，具有优异的防护性能和可靠性。 SMBJ28CA芯片采用DO214AA封装，适用于28V低电压应用领域。其核心特点包括快速响应速度、低反向导通电压、低漏电流、高功率容量以及良好的温度特性。这些特点使其成为各种电子产品中静电保护的理想选择。 TVS技术是一种先进的半导体制造技术，通
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2024-11
Comchip品牌ATV02W260B-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 26VWM 42.1VC SOD123的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌ATV02W260B-HF静电保护ESD芯片TVS器件的应用介绍 Comchip品牌ATV02W260B-HF静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，专门针对静电放电（ESD）攻击进行保护。这款芯片采用先进的SOD123封装技术，具有出色的瞬态电压抑制能力，可有效保护各类电子设备免受静电、浪涌和其他瞬间高压的干扰。 首先，ATV02W260B-HF采用的静电保护技术具有很高的可靠性。ESD芯片TVS器件能在极短的时间内，将瞬时电压降至设备可以承受的水平，从而有效地