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2024-10
Littelfuse品牌SMBJ48CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ48CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 48VWM 77.4VC DO214AA技术与应用介绍 Littelfuse SMBJ48CA静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，适用于各种电子设备的静电防护。该产品采用DO214AA封装，适用于无铅环境，具有优良的电气性能和可靠性。 SMBJ48CA TVS二极管的特性包括48V的工作电压范围，高达77.4V的箝位电压以及低电容和电感。这些特性使得SMBJ48CA成为高电压、高频率应用的理想选择。此外，其
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2024-10
Littelfuse品牌SMBJ5.0CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse SMBJ5.0CA静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，采用DO214AA包装，适用于各种电子设备的静电保护应用。该芯片具有5V的工作电压和9.2VC的额定静电容量，能够有效地吸收和分流外界的静电冲击，保护电路免受损坏。 SMBJ5.0CA的主要技术特点包括：高瞬态电压抑制能力，低箝位电压，低漏电流，高瞬态功率等。这些特点使得SMBJ5.0CA在各种恶劣环境下都能保持稳定的性能，从而确保电路的安全。 在方案应用方面，SMBJ5.0CA可以广泛应用于各种电子产品中，
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2024-10
Littelfuse品牌SMBJ26CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ26CA静电保护ESD芯片TVS DIODE在技术与应用方面的介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMBJ26CA静电保护ESD芯片TVS DIODE在静电保护领域具有显著的技术优势和应用前景。该芯片是一款高性能的瞬态抑制二极管，适用于各种电子设备的静电保护应用。 技术特点： 1. 快速响应：SMBJ26CA芯片具有极低的电容和响应时间，能够在极短的时间内将瞬态电压抑制在安全范围内。 2. 高能量吸收能力：芯片内部采用特殊设计，能够高效
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2024-10
Diodes品牌SMBJ24CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ24CA-13-F静电保护ESD芯片TVSDIODE 24VWM 38.9VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌推出的SMBJ24CA-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管，专门针对24V系统进行设计，适用于各种电子设备的静电保护应用。 SMBJ24CA-13-F采用了Diodes品牌独特的SMB（Small Module）技术，将大功率元件小型化，使其适用于空间受限的设备中。该芯片具有
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2024-10
Diodes品牌SMBJ30CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌推出了一款优秀的静电保护ESD芯片SMBJ30CA-13-F，它是一款高性能的TVS二极管，采用SMBJ封装技术，具有出色的性能和可靠性。该芯片采用Diodes自主研发的30VWM技术，具有高钳压、低电容、低电阻等特点，能够有效抑制静电、雷击等瞬态干扰，保护电路免受损坏。 SMBJ30CA-13-F芯片采用了先进的TVS技术，具有快速响应、低漏电流、高功率等特点，适用于各种电子设备的静电保护应用。它能够承受高达48.4V的静电电压，同时具有极低的插入损耗，能够显著降低系统噪声，
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2024-10
Nexperia品牌PESD5V0S1UB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 20VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0S1UB：一款卓越的静电保护芯片方案 Nexperia PESD5V0S1UB是一款高效能的静电保护芯片方案，采用SOD523封装，具有极低的电容和出色的瞬态抑制性能。这款ESD芯片广泛应用于各种电子设备中，以防止静电放电（ESD）攻击造成的产品损坏。 技术特点： * 快速瞬态二极管阵列设计，有效吸收瞬态浪涌电流； * 电压钳位至20V，提供优异的保护性能； * 工作频率低至115kHz，大大降低了功耗； * 采用PESD5V0S1UB芯片的电路具有极低的电容，
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2024-10
Diodes品牌D5V0P4UR6SO-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT26的技术和方案应用介绍
Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT26技术与应用介绍 Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS是一款优秀的静电保护芯片，采用SOT26封装，具有优良的电气性能和可靠性。该芯片可广泛应用于各种电子产品中，尤其适用于对静电防护要求较高的领域，如计算机、通讯、消费电子等。 在应用方面，Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS可直接焊接到印刷电路板的相应位置上，起到保护作用。当电路受到静电或雷击等过电压冲击时，T
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2024-10
Littelfuse品牌SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS二极管在24VWM、38.9VC规格下的技术和方案应用介绍 Littelfuse品牌旗下的SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS二极管是一款高性能的静电保护器件，适用于各种电子设备的静电防护需求。该芯片采用DO214AA封装，具有高浪涌电流能力、快速响应速度和低接触电阻等特点，能够有效地保护电子设备免受静电、雷击等外电的干扰，提高设备的稳定性和可靠性。 技术特点： 1. 高浪涌电流能力：SMBJ24CA芯片具有出色的浪涌电流能力
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2024-10
Diodes品牌SMBJ33CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌推出了一款优秀的静电保护ESD芯片SMBJ33CA-13-F，它是一款高性能的TVS DIODE 33VWM，适用于各种电子设备的静电防护需求。该芯片采用了SMB技术，具有出色的性能和可靠性。 SMBJ33CA-13-F具有出色的瞬态浪涌抑制能力，可有效地保护电子设备免受静电、雷击等瞬态脉冲的损害。它具有极低的插入损耗，可提高通信系统的信噪比，从而提高了通信质量。此外，SMBJ33CA-13-F还具有自动恢复的能力，可有效地保护电路免受多次浪涌的损害。 该芯片适用于各种电子设备
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2024-10
Diodes品牌SMBJ12CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ12CA-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用SMBJ12CA-13封装，具有出色的静电防护性能和可靠性。它采用TVS技术，具有极低的响应时间，能够快速响应瞬态静电放电（ESD）冲击，有效保护电路免受静电、雷击等灾害的影响。 SMBJ12CA-13的电气参数为：额定电压为12V，最大耗散功率为19.9W，最大反向电压为600V。它的主要特点包括低电容、低电感、低插入损耗和高脉冲功率等，适用于各种电路的静电保护应用中。 SMBJ12CA-13的方案应用非常广泛，可
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2024-10
Diodes品牌SMBJ15CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌旗下的SMBJ15CA-13-F静电保护ESD芯片是一款功能强大的静电保护器件，采用SMBJ封装技术，具有出色的电气性能和可靠性。该芯片属于TVS二极管范畴，是一种瞬态抑制器，能有效保护电路免受静电放电（ESD）攻击所产生的瞬态浪涌电压的损害。 SMBJ15CA-13-F的特点在于其低电容、低漏电流和高钳压特性，使其在各种恶劣环境条件下都能保持良好的性能。它的钳压能力高达15VWM，可有效抵御高达24.4kV的瞬态电压。此外，该芯片具有较短的响应时间，可迅速抑制瞬态浪涌，减少其
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2024-10
Diodes品牌SMBJ5.0CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ5.0CA-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用SMBJ5.0CA-13-F型号命名规则，具备TVS（Transient Voltage Suppressor）DIODE 5VWM 9.2VC SMB技术特点。该芯片在电子设备中起到关键的保护作用，能有效抑制静电放电（ESD）攻击，避免设备受到损害。 SMBJ5.0CA-13-F的技术特点包括TVS DIODE，这是一种独特的半导体器件，具有极高的瞬态电压抑制能力，同时保持低电阻导通状态。该芯片的5VWM规格表示