ESD静电保护(静电测试)静电防护芯片采购平台-芯片产品
  • 17
    2024-04

    onsemi品牌ESDM3551MXT5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 8.2VC 2X3DFN的技术和方案应用介绍

    onsemi品牌ESDM3551MXT5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 8.2VC 2X3DFN的技术和方案应用介绍

    标题:onsemi品牌ESDM3551MXT5G静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 onsemi品牌ESDM3551MXT5G静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管,采用先进的5.5VWM技术,具有8.2VC的防护能力,适用于各种电子设备的静电保护需求。 ESDM3551MXT5G采用了2X3DFN封装形式,具有体积小、防护能力强、响应速度快、工作电压低等优点。其工作原理是在瞬间过电压或过电流时,TVS二极管迅速导通,将电压钳位在安全范围内,从而保护电子设备不受损坏。 该芯片适

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    2024-04

    onsemi品牌ESD9C3.3ST5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD923的技术和方案应用介绍

    onsemi品牌ESD9C3.3ST5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD923的技术和方案应用介绍

    标题:onsemi品牌ESD9C3.3ST5G静电保护TVS二极管芯片的技术与方案应用介绍 onsemi品牌的ESD9C3.3ST5G静电保护TVS二极管芯片是一款广泛应用于各种电子设备的静电保护器件。该芯片采用先进的生产工艺,具有极低的接触电阻和优良的钳位性能,能够有效地保护电路免受静电放电的损害。 ESD9C3.3ST5G具有快速响应和极低的感应电压的特点,能在极短的时间内将静电荷泄放入地,从而确保电路不受静电的损害。此外,其低漏电流和低电容等特点,使其在应用中具有很高的性能和可靠性。 该

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    2024-04

    Diodes品牌D5V0L1B2T-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术和方案应用介绍

    Diodes品牌D5V0L1B2T-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术和方案应用介绍

    标题:Diodes品牌D5V0L1B2T-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术与方案应用介绍 Diodes品牌推出的D5V0L1B2T-7是一款高效静电保护ESD芯片,型号为TVS DIODE 5VWM 14VC,采用SOD523封装。这款芯片具有出色的静电保护性能,适用于各种电子设备的静电防护应用。 技术特点: D5V0L1B2T-7采用先进的半导体技术,具有极低的电容和电阻,能够快速响应静电放电(ESD)攻击,有效抑制瞬态电压和浪涌电流。此外,该芯

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    2024-04

    KYOCERA品牌GG0402126R042P静电保护ESD

    KYOCERA品牌GG0402126R042P静电保护ESD

    标题:KYOCERA品牌GG0402126R042P静电保护ESD芯片DIODE 12VDC,0402,6PF的技术与应用介绍 在电子设备的保护领域,KYOCERA品牌的静电保护ESD芯片,型号为GG0402126R042P DIODE 12VDC,以其独特的性能和出色的技术特点,成为业界的翘楚。该芯片采用了先进的0402封装,具有卓越的静电保护性能,同时具备极低的功耗和较高的可靠性。 这款ESD芯片的核心元件是6PF的电容,它的存在有效抑制了电磁干扰,提升了设备的工作效率。其出色的性能得益于

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    2024-04

    onsemi品牌ESD5581N2T5G静电保护

    onsemi品牌ESD5581N2T5G静电保护

    标题:onsemi ESID5581N2T5G静电保护芯片:高效、灵活的5V静电保护方案 onsemi品牌ESD5581N2T5G静电保护ESD芯片,一款采用TVS隧道二极管技术的5VWM、12VC高规格产品。该芯片不仅具有卓越的静电保护性能,更具备超低的插入损耗,使其在各种应用场景中均表现出色。 ESD5581N2T5G的主要技术特点包括:高瞬态电压抑制能力(1200VDC),快速响应时间(小于1ns),低漏电流(低于1mA),以及可承受高工作频率。这些特性使其成为各类电子产品中静电保护的理

  • 04
    2024-04

    D5V0L1B2WS

    D5V0L1B2WS

    标题:Diodes品牌D5V0L1B2WS-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD323的技术与方案应用介绍 Diodes品牌推出的D5V0L1B2WS-7是一款高效的静电保护ESD芯片,型号为TVS DIODE 5VWM 14VC,采用SOD323封装。该芯片在静电保护领域具有广泛的应用前景,能有效保护电子设备免受静电放电(ESD)的危害。 首先,D5V0L1B2WS-7具备优秀的静电防护性能,可在瞬间吸收大量电流,从而有效地将静电能量从设备中转移,避免其受到损伤

  • 03
    2024-04

    KYOCERA品牌GG040205100N2P静电保护ESD

    KYOCERA品牌GG040205100N2P静电保护ESD

    随着科技的发展,电子设备的普及度越来越高,但同时也带来了一个新的问题——静电保护。静电是一种自然现象,但当其作用于电子设备时,可能会造成设备的损坏。因此,静电保护器件,如KYOCERA品牌GG040205100N2P静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 12VC 0402,就成为了电子设备中不可或缺的一部分。 KYOCERA品牌的这款静电保护芯片具有高效、可靠的特点。其核心材料为二氧化硅,具有极好的吸收和释放静电的能力。它的工作原理是通过吸收过量的静电能量,将电压控制在安全范围内,从

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    2024-04

    KYOCERA品牌GG040205170N2P静电保护ESD

    KYOCERA品牌GG040205170N2P静电保护ESD

    标题:KYOCERA GG040205170N2P静电保护TVS二极管芯片技术与应用介绍 在电子设备中,静电保护至关重要,尤其是对于精密的电子组件,如我们的主题——KYOCERA GG040205170N2P静电保护TVS二极管芯片。这款芯片以其独特的5VWM 10VC技术规格,为各种设备提供了卓越的静电防护性能。 首先,我们来了解一下TVS二极管的基本原理。TVS是一种瞬态抑制器件,能在瞬间电压变化、过电流和电磁干扰等异常条件下,迅速吸收并散逸有害的电压和电流,从而保护电子设备不受损害。而K

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    2024-04

    Diodes品牌DESD5V0U1BA

    Diodes品牌DESD5V0U1BA

    标题:Diodes品牌DESD5V0U1BA-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5VWM 7.2VC SOD323的技术与方案应用介绍 Diodes品牌DESD5V0U1BA-7是一款出色的静电保护ESD芯片,采用TVS DIODE 5VWM 7.2VC SOD323封装形式。这款产品专为各类电子设备提供卓越的静电防护性能,有效抑制瞬态干扰,确保设备稳定运行。 技术特点: 1. 高能量ESD保护能力:DESD5V0U1BA-7具备出色的吸收ESD静电电荷的能力,有效防止静电放电对设备造成的

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    2024-03

    MCC品牌ESD12VD5

    MCC品牌ESD12VD5

    MCC品牌ESD12VD5-TP静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 MCC品牌一直以其卓越的品质和精湛的技术,在电子元器件领域享有盛誉。ESD12VD5-TP静电保护ESD芯片,作为MCC品牌的一款代表性产品,以其出色的静电保护性能和卓越的技术特性,成为了电子工程师们的首选。 ESD12VD5-TP是一款高速瞬态抑制TVS二极管,采用SOD523封装,具有体积小、响应速度快、能承受高电压大电流等优点。其核心特点包括: * 静电保护性能卓越:能有效抑制瞬态干扰,保护电子设备免受静电、雷

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    2024-03

    Diodes品牌DESD3V3S1BL

    Diodes品牌DESD3V3S1BL

    Diodes品牌DESD3V3S1BL-7B静电保护ESD芯片TVS器件应用介绍 DESD3V3S1BL-7B是一款采用先进技术制造的3.3V静电保护芯片,专为满足当今电子设备对静电保护的严格要求而设计。该器件采用Diodes品牌特有的DFN1006-2封装形式,具有小型化、高可靠性和高效率的特点。 DESD3V3S1BL-7B具备出色的静电保护性能,其最大钳位电压可低至7V,确保在瞬态静电放电时提供高效保护。此外,该器件还具有快速响应特性,可在纳秒级内将电流限制在安全范围内,从而有效抑制瞬态

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    2024-03

    onsemi品牌MMBZ15VDLT1G静电保护

    onsemi品牌MMBZ15VDLT1G静电保护

    标题:onsemi MMBZ15VDLT1G静电保护ESD芯片TVS器件的技术与方案应用介绍 onsemi MMBZ15VDLT1G是一款卓越的静电保护ESD芯片TVS器件,它采用了onsemi独特的SOT23-3封装形式,适用于各种12.8VWM、21.2VC的电子设备中。其卓越的性能和可靠的保护能力,为各类设备提供了高效且安全的静电防护解决方案。 首先,MMBZ15VDLT1G采用了先进的半导体技术,具备快速响应、低漏电流、高钳压特性,能在瞬态静电放电冲击下,有效保护后端电路不受损坏。其独