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2024-09
Infineon品牌ESD5V0S1U02VH6327XTSA1静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14.5VC SC79-2的技术和方案应用介绍
Infineon品牌ESD5V0S1U02VH6327XTSA1静电保护ESD芯片TVS二极管的应用介绍 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1是一款Infineon品牌的静电保护芯片，采用TVS技术，具有出色的静电防护性能。它是一款低电容、高吸收电流的静电保护器件，适用于各种电子设备的电源电路中。 ESD5V0S1U02VH6327XTSA1采用ESD5VWM规格，能够承受高达14.5VC的静电放电冲击。该芯片还具有优异的反向电压和漏电流特性，确保在瞬态电压波动时能够迅速导通，有效吸收
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2024-09
TI品牌ESD401DPYR静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 24VC 2X1SON的技术和方案应用介绍
TI品牌ESD401DPYR静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 TI品牌ESD401DPYR是一款高性能的静电保护ESD芯片，采用TVS二极管技术，具有出色的静电防护性能。该芯片采用5.5VWM的工作电压，具有24V的额定钳压值，能承受高达2X1SON的静电放电能量，为电子设备提供高效、可靠的静电保护。 TVS二极管技术是一种具有高阻抗突变特性的半导体器件，具有响应速度快、钳位电压精确可调、瞬态抑制能力强等特点。ESD401DPYR芯片通过内置的TVS二极管，能够有效吸收瞬态电压和浪
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2024-09
STM品牌ESDA7P60-1U1M静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 11.6VC 1610的技术和方案应用介绍
STM品牌ESDA7P60-1U1M是一款高性能静电保护ESD芯片TVSDIODE，采用5VWM，11.6VC规格，具有多种技术特点和应用方案。 首先，该芯片采用先进的半导体技术，具有快速响应、低漏电流、高钳压特性，能够有效地抑制静电、雷击等瞬态干扰对电路的损害。同时，该芯片还具有热敏特性，能够在瞬间过载时自动熔断，保护电路不受损坏。 其次，该芯片适用于各种电子设备的静电保护，如计算机、通信设备、医疗设备等。在电路中安装该芯片后，能够有效抑制瞬态干扰，提高设备的可靠性和稳定性。同时，该芯片还具
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2024-09
Diodes品牌SMBJ48A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 48VWM 77.4VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌推出了一款高效静电保护ESD芯片SMBJ48A-13-F，它是一款高品质的TVS DIODE，适用于各种应用场景。该芯片采用SMBJ封装，具有48VWM和77.4VC的规格，适用于各种高电压环境。 SMBJ48A-13-F静电保护ESD芯片的技术特点包括高瞬态电压抑制能力、低电容、低漏电流、低插入损耗以及易于安装等。其独特的TVS技术能够有效吸收瞬态能量，保护电子设备免受静电、雷击等危害。此外，该芯片还具有优异的脉冲功率和钳位电压精度，使其在各种应用中表现出色。 方案应用方面，
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ33A静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌旗下的SMBJ33A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护二极管，采用DO214AA封装，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有快速响应、低漏电流、高钳压和可靠性的特点，可有效抑制瞬态电压和静电放电的冲击，保护电路免受损坏。 技术特点： * 快速响应：SMBJ33A芯片能够在纳秒级内将电流从正常状态切换到保护状态，从而快速抑制瞬态电压。 * 低漏电流：芯片在正常状态下具有极低的静态功耗，不会影响电路的正常工作。 * 高钳压：芯片在承受高电压时仍能保持良好的电气性
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ24A静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ24A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS DECOATECDIODE，适用于各种电子设备的静电保护应用。该芯片采用24VWM规格，具有高浪涌电流能力，可有效抑制瞬态电压和浪涌电流的冲击，保护电路免受静电和人为干扰的影响。 技术特点： * 采用微型封装DO214AA，具有高功率容量和高浪涌电流能力； * 工作电压范围为24V，可适应各种设备的电压需求； * 采用先进的半导体工艺，具有优异的电气性能和可靠性； * 具有快速响应速度和极低的接触电阻，可有效抑制瞬态电
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2024-09
Diodes品牌SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌推出了一款卓越的静电保护ESD芯片SMBJ36A-13-F，它采用了TVS技术，是一款高性能的半导体器件，专门设计用于吸收来自外界的静电放电能量。这款SMBJ36A-13-F静电保护芯片采用了独特的SMB（Small Package Size）封装，具有体积小、效率高的特点，适用于各种电子设备中。 SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片采用了36V
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ18A静电保护ESD芯片TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ18A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS DECO，采用18VWM，29.2VC的DO214AA封装技术，适用于各种电子设备的静电保护应用。 首先，SMBJ18A具有出色的静电保护性能，能够有效抑制静电放电（ESD）引起的电路损坏。其快速响应和低钳位电压性能使其成为各种电子设备的理想选择。此外，SMBJ18A采用先进的封装技术，具有出色的热导率和耐久性，可确保长时间稳定运行。 在应用方面，SMBJ18A适用于各种电子设备的电源电路、接口电路和芯片等关键部位。它
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ36A静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌旗下的SMBJ36A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护二极管，具有DO214AA的封装技术，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有36V的额定工作电压，能够有效抑制高达58.1V的瞬态电压，从而保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。 SMBJ36A芯片采用先进的半导体工艺技术制造，具有高浪涌吸收能力、低电容、低漏电流等特点，同时具有极低的开启电压和快速响应特性，可在极短的时间内将电流导通，将电压钳位在安全范围内，从而保护电路免受瞬态电压的损害。 在方案应
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2024-09
Diodes品牌SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）器件，采用SMBJ封装技术，适用于24V电压应用环境。该芯片具有出色的静电保护性能，能够有效抑制瞬态电压、浪涌电流等不良因素，确保电子设备的稳定运行。 SMBJ24A-13-F芯片采用Diodes品牌独特的WM技术，具有高吸收电流的能力，可在瞬态电压冲击下迅速导通，将
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA的技术与方案应用介绍 Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS半导体二极管，具有60V的额定工作电压和快速响应特性，适用于各种电子设备的静电保护。这款TVS二极管采用DO214AA封装形式，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： 1. 高性能：SMBJ60A具有高浪涌吸收能力，能有效抑制瞬态电压和浪涌电流，保护电子设备免受静电冲击。 2. 快
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2024-09
Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR技术与应用介绍 Littelfuse品牌的SMF5.0A静电保护ESD芯片，采用先进的TVS（Transient Voltage Suppressor）技术，具有出色的静电保护性能和可靠性。该芯片采用SOD123FL封装形式，适用于各种低功耗、低电压的电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机等。 SMF5.0A芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高击穿电压、低漏电流、低反向电阻等优点。当