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2024-03
onsemi品牌ESD9X12ST5G静电保护
标题：onsemi品牌ESD9X12ST5G静电保护TVS器件的技术和应用介绍 onsemi品牌的ESD9X12ST5G静电保护TVS器件是一款卓越的12V电压抑制器，专门针对静电保护设计，适用于各种电子设备。其卓越的技术特点和广泛的应用方案使其成为电子系统设计中不可或缺的一部分。 首先，ESD9X12ST5G采用了先进的ESD（静电保护）技术，能有效防止因静电或电磁干扰引起的电路损坏。其高吸收能容量确保在瞬间高电压冲击下仍能保持稳定，从而保护电路免受静电损伤。 其次，该器件具有出色的瞬态电压
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2024-03
onsemi品牌ESD5Z3
标题：onsemi ESID ES6000系列ESD5Z3.3T1G静电保护芯片SOD523的应用介绍 onsemi品牌ESD5Z3.3T1G静电保护ESD芯片，是一种适用于各种电子设备的静电保护技术方案。该芯片采用TVS技术，可在瞬间承受高电压，有效防止静电和电磁干扰对电路的损害。 首先，ESD5Z3.3T1G具有高脉冲功率和低钳位电压，可提供出色的静电保护性能。其工作电压为3.3V，工作电流为14.1mA，适用于各种低功耗、低电压的电子设备。此外，该芯片采用SOD523封装形式，具有体积小
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2024-03
D5V0L1B2S9
标题：Diodes品牌D5V0L1B2S9-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD923的技术与方案应用介绍 Diodes品牌推出的D5V0L1B2S9-7是一款高效静电保护ESD芯片，型号为TVS DIODE 5VWM 14VC SOD923。该芯片具有卓越的性能和广泛的应用领域，其独特的结构和功能使其成为电子设备的理想选择。 首先，D5V0L1B2S9-7静电保护ESD芯片采用了先进的半导体技术，具有极低的电容和延迟时间，能够快速响应并吸收瞬态静电放电（ESD）
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2024-03
onsemi品牌ESD9B3
标题：onsemi品牌ESD9B3.3ST5G静电保护芯片——TVS技术与应用 onsemi品牌ESD9B3.3ST5G静电保护芯片是一款优秀的静电保护器件，采用先进的TVS技术，专为各种电子设备提供卓越的静电保护解决方案。这款芯片采用SOD923封装，具有高吸收电流能力，适用于各种环境条件下的静电防护需求。 TVS技术是一种瞬态抑制技术，具有极低的响应时间，能够快速吸收瞬态浪涌电流，从而有效地保护电子设备不受静电、雷击等灾害性天气的影响。ESD9B3.3ST5G芯片采用高分子材料制造，具有优
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2024-03
Toshiba品牌DF2S5M4CT,L3F静电保护ESD芯
Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode技术与应用介绍 Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode是一种高性能的静电保护器件，具有3.6VWM的工作电压和15V的箝位电压，适用于各种电子设备的静电保护。 该芯片采用L3F静电保护技术，具有出色的抗静电性能和快速响应速度。在静电保护方面，L3F技术通过将TVS二极管与半导体保护电路相结合，能够在瞬间吸收大量的静电能量，从而有效地保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。
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2024-03
TVS DIODE 5
Vishay品牌VBUS05B1-SD0-G4-08静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Vishay品牌的VBUS05B1-SD0-G4-08静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，具有5.5VWM的额定电压和18VC的静电容量，适用于各种电子设备的静电防护。 该芯片采用了先进的TVS技术，具有快速响应、高钳压、低漏电流等特点，可以在瞬态电压浪涌时吸收功率，防止浪涌电流对电路的破坏。同时，该芯片还具有极低的反向漏电流，不会对电路的正常工作产生影响。 在应用方面，VBUS0
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2024-03
D20V0L1B2LP
标题：Diodes品牌D20V0L1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 20VWM 34VC DFN1006-2的技术与应用介绍 Diodes品牌D20V0L1B2LP-7B是一款优秀的静电保护ESD芯片TVS DIODE 20VWM 34VC DFN1006-2，它采用先进的半导体技术，具有卓越的静电保护性能和可靠性。该芯片适用于各种电子设备的静电防护，如计算机、通信设备、消费电子产品等，能够有效保护内部电路不受静电、雷击等外力影响，确保设备正常运行。 该芯片具有快速响应、低
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2024-03
D12V0L1B2LP
标题：Diodes D12V0L1B2LP-7B静电保护芯片：高效、可靠的静电保护方案 Diodes品牌近期推出了一款名为D12V0L1B2LP-7B的静电保护芯片，其卓越的性能和可靠性使其成为电子设备防静电保护的理想选择。这款静电保护芯片采用了先进的TVS技术，具有快速响应和低漏电流的特点，能有效抑制瞬态电压和瞬态电流的侵害。 技术特点： D12V0L1B2LP-7B采用了DFN1006-2封装，具有小型化和轻量化的特点，适用于各种便携式设备。其工作电压低至12V，最大钳压为6.2V，能够承
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2024-03
Diodes品牌D5V0P1B2LP
Diodes品牌D5V0P1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 13VC DFN1006-2的应用介绍 Diodes品牌推出的D5V0P1B2LP-7B静电保护ESD芯片是一款非常出色的TVS diode，它具有5.5VWM的额定电压和出色的静电保护能力。这款芯片采用了DFN1006-2封装，非常适合在紧凑的空间内提供出色的静电保护。 技术特性 * 高瞬态电压抑制能力 * 5.5V的额定电压 * 快速的瞬态响应 * 纤薄、小型化的DFN封装 * 适用于各种应用领域
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2024-03
Diodes品牌DESD5V0U1BL
Diodes品牌DESD5V0U1BL-7B静电保护ESD芯片TVS器件介绍 Diodes品牌DESD5V0U1BL-7B是一款高性能的静电保护芯片，采用DFN1006-2封装，具有5VWM的工作电压和7.2VC的钳位电压。这款静电保护器件具有出色的静电防护性能，能够有效吸收瞬态电压，保护电路免受静电、电磁干扰等有害因素的影响。 技术特点： * 工作电压范围：5V至30V； * 静电防护性能优异； * 快速响应速度； * 钳位电压可调； * 体积小，易于集成。 应用方案： * 电子产品：适用于
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2024-03
Diodes品牌D5V0H1B2LP
Diodes品牌D5V0H1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 12.5VC 2DFN技术与应用介绍 Diodes品牌推出了一款优秀的静电保护芯片D5V0H1B2LP-7B，它是一款高性能的TVS二极管，采用2DFN封装技术，具有出色的性能和可靠性。这款芯片具有5.5VWM的电压规格，能承受高达12.5VC的静电放电冲击，有效保护电路免受静电放电的破坏。 2DFN封装技术是一种先进的微型封装技术，具有小型化、高可靠性和易于生产等优点。D5V0H1B2LP-7B采用
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2024-03
Infineon品牌ESD108B1CSP0201XTSA1
标题：Infineon品牌ESD108B1CSP0201XTSA1静电保护芯片ESD TVS二极管技术与应用介绍 随着电子设备的普及，静电保护（ESD）问题日益凸显。为了有效应对这一挑战，Infineon公司推出了一款高效静电保护芯片——ESD108B1CSP0201XTSA1。这款ESD TVS二极管以其独特的性能和特点，成为了电子设备防静电保护的重要一环。 ESD108B1CSP0201XTSA1是一款高性能的静电保护器件，其工作电压为5.5V，最大耗散功率为41W。此外，其瞬态二极管阵列