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2024-06
TI品牌ESD321DPYR静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.6VWM 6.8VC 2X1SON的技术和方案应用介绍
TI品牌ESD321DPYR静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 TI品牌ESD321DPYR是一款高性能的静电保护ESD芯片，采用TVS二极管技术，具有出色的静电防护性能。该芯片具有3.6VWM和6.8VC的电压规格，适用于各种电子设备的静电防护应用。 ESD321DPYR芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高钳压、低电容、高隔离电压等优点，能够有效抑制静电、电磁干扰等有害信号的侵入，保护电子设备免受损坏。该芯片还具有2X1SON的技术特点，可以实现高集成度、低成本、小尺寸的封装
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2024-06
Comchip品牌CPDUR5V0HE-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 16VC 0603/SOD523F的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌静电保护技术：CPDUR5V0HE-HF TVS二极管芯片的应用介绍 Comchip品牌在静电保护领域一直以其卓越的技术和方案而闻名。今天，我们将详细介绍CPDUR5V0HE-HF静电保护ESD芯片及其TVS二极管DIODE 5VWM 16VC 0603/SOD523F的应用。 CPDUR5V0HE-HF是一款高性能的静电保护芯片，采用先进的ESD（静电保护）技术，具有极低的电容和高速响应特性。其核心是TVS二极管DIODE，具有高能量吸收能力，能有效防止静电、电磁干扰
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2024-06
onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 7VC SOD923的技术和方案应用介绍
标题：onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，采用SOD923封装，适用于各种电子设备的静电保护。该芯片具有5VWM的额定电压和7V的箝位电压，能有效防止静电和电磁干扰对电子设备的损害。 技术特点： 1. 快速瞬态抑制特性，能有效吸收瞬态脉冲电流； 2. 钳位电压低，具有高钳位电压抑制能力； 3. 封装形式小，适用于小型化、轻量化的电子设备； 4. 静电保
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2024-06
Vishay品牌VBUS05L1-DD1-G-08静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 17VC LLP1006-2M的技术和方案应用介绍
Vishay品牌VBUS05L1-DD1-G-08静电保护ESD芯片TVS二极管的应用介绍 Vishay品牌的VBUS05L1-DD1-G-08静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，适用于各种电子设备的静电保护。该芯片采用先进的工艺技术，具有高浪涌电流能力、低电容、低电阻和快速响应速度等特点，可有效抑制静电冲击，确保设备安全可靠运行。 技术特点： * 芯片采用高速瞬态抑制技术，具有极低的钳位电压和快速响应时间，可有效吸收和散逸静电冲击能量； * 芯片具有高浪涌电流能力，可承受高电压、大
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2024-06
Vishay品牌VESD03A1B-HD1-GS08静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 9VC LLP1006-2L的技术和方案应用介绍
Vishay品牌的VESD03A1B-HD1-GS08是一款高性能的静电保护ESD芯片，采用TVS DIODE技术，具有出色的抗静电性能和极低的反向漏电流。该芯片适用于各种微电子设备，尤其在3.3V电压工作环境下，具有广泛的应用前景。 该芯片采用LLP1006-2L封装，具有9V至36V的连续工作电压范围，最大能承受高达8kV的静电冲击。其瞬态抑制性能可确保在瞬间高电压冲击下，芯片两端电压几乎保持恒定，从而有效保护周边的电子设备免受静电损伤。 方案应用方面，VESD03A1B-HD1-GS08
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2024-06
Diodes品牌D5V0F1U2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 12VC DFN1006-2的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌D5V0F1U2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 12VC DFN1006-2的技术与方案应用介绍 Diodes品牌推出的一款静电保护ESD芯片，型号为D5V0F1U2LP-7B，是一款高品质的TVS二极管，采用DFN1006-2封装。此款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了电子工程师们信赖的静电保护器件。 TVS二极管的主要作用是作为静电保护，防止静电放电对电路造成损害。D5V0F1U2LP-7B在承受瞬时高电压时，能以极快的速度将瞬态
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2024-06
Nexperia品牌PESD2IVN24-TR静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 42VC TO236AB的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD2IVN24-TR静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 Nexperia的PESD2IVN24-TR静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，专为24V直流电源系统设计，适用于各种电子设备的静电保护。 首先，TVS二极管是一种非线性半导体器件，能在高电压下迅速钳压，从而吸收大量的瞬态功率，防止设备因静电放电（ESD）攻击而受损。PESD2IVN24-TR采用先进的半导体工艺制造，具有高吸收能力、低反向导通电压和低电荷积累等特点。 技术方案应用方面，PES
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2024-06
Comchip品牌ACPDQC3V3T-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 9.8VC 0402C的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌ACPDQC3V3T-HF静电保护芯片的技术与方案应用介绍 Comchip作为一家专业的电子元器件供应商，一直致力于提供高效、可靠且创新的静电保护解决方案。其ACPDQC3V3T-HF静电保护芯片是一款高品质的ESD（静电保护）芯片，采用了TVS（瞬态电压抑制器）技术，专门针对3.3V电路设计，具备高脉冲功率和高钳压能力。 ACPDQC3V3T-HF静电保护芯片的技术特性主要体现在其材料、性能和防护等方面。选用高质量的半导体材料，确保了芯片在恶劣环境下的稳定性和可靠性。
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2024-06
onsemi品牌SD05T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOD323的技术和方案应用介绍
标题：onsemi SD05T1G静电保护芯片：5VWM 9.8VC SOD323静电保护方案应用介绍 onsemi SD05T1G静电保护芯片是一款高效能的静电保护器件，采用SOD323封装，适用于各种电子设备，尤其在需要防止静电损坏的环境中。这款静电保护ESD芯片，具有5VWM 9.8VC的规格，能有效防止高达9.8KV的静电放电。 SD05T1G的技术特点包括快速响应、低电容、低漏电流、高功率等，使其在瞬态静电放电过程中，能迅速吸收瞬态过电压，将电压钳位在安全范围内，保护后级电路不受损坏
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2024-06
Nexperia品牌PESD5V2S2UT,215静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 20VC TO236AB的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD5V2S2UT静电保护ESD芯片TVS二极管的技术与方案应用介绍 Nexperia是全球知名的电子元器件供应商，其PESD5V2S2UT静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，具有出色的静电保护性能和稳定的电气性能。 PESD5V2S2UT采用TO-236AB封装形式，具有高吸收能容量、低钳位电压、低电容、低电阻等特点，适用于各种电子设备的静电保护。其技术特点包括高瞬态电压承受能力、低箝位电压、低漏电流、快恢复以及小尺寸等，使其在各种恶劣环境下都能发挥出色保护
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2024-06
Diodes品牌D5V0F1U2S9-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 12VC SOD923的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌D5V0F1U2S9-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5.5VWM 12VC SOD923的技术与应用介绍 Diodes品牌D5V0F1U2S9-7是一款优秀的静电保护ESD芯片TVSDIODE，其工作电压为5.5V，最大额定电压为12V，采用SOD923封装。这款芯片具有出色的静电保护性能，能够有效抑制静电冲击、电磁干扰等不良因素，确保电路系统的稳定运行。 技术特点： 1. 快速瞬变抑制二极管（TVS）技术，能有效吸收瞬态脉冲电流； 2. 静电保护性能出色，能有效
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2024-06
Comchip品牌CPDU5V0U-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 12.5VC 0603的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌CPDU5V0U-HF静电保护芯片的技术和应用介绍 Comchip品牌CPDU5V0U-HF静电保护芯片是一款功能强大的ESD（静电放电）保护器件，采用了先进的TVS（瞬态电压抑制器）DIODE技术。这款芯片专为各种电子设备设计，尤其在需要防止静电损坏的场合，如计算机、通讯设备、消费电子产品等。 CPDU5V0U-HF芯片具有出色的静电保护性能，可承受高达12.5V的瞬态电压，同时提供低电容、低漏电流和高浪涌电流等优势。此外，其0603的封装形式使得其在空间紧凑的设备中