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2024-10
Nexperia品牌PESD5V0S1UB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 20VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0S1UB：一款卓越的静电保护芯片方案 Nexperia PESD5V0S1UB是一款高效能的静电保护芯片方案，采用SOD523封装，具有极低的电容和出色的瞬态抑制性能。这款ESD芯片广泛应用于各种电子设备中，以防止静电放电（ESD）攻击造成的产品损坏。 技术特点： * 快速瞬态二极管阵列设计，有效吸收瞬态浪涌电流； * 电压钳位至20V，提供优异的保护性能； * 工作频率低至115kHz，大大降低了功耗； * 采用PESD5V0S1UB芯片的电路具有极低的电容，
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2024-10
Diodes品牌D5V0P4UR6SO-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT26的技术和方案应用介绍
Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT26技术与应用介绍 Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS是一款优秀的静电保护芯片，采用SOT26封装，具有优良的电气性能和可靠性。该芯片可广泛应用于各种电子产品中，尤其适用于对静电防护要求较高的领域，如计算机、通讯、消费电子等。 在应用方面，Diodes D5V0P4UR6SO-7静电保护TVS可直接焊接到印刷电路板的相应位置上，起到保护作用。当电路受到静电或雷击等过电压冲击时，T
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2024-10
Littelfuse品牌SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS二极管在24VWM、38.9VC规格下的技术和方案应用介绍 Littelfuse品牌旗下的SMBJ24CA静电保护ESD芯片TVS二极管是一款高性能的静电保护器件，适用于各种电子设备的静电防护需求。该芯片采用DO214AA封装，具有高浪涌电流能力、快速响应速度和低接触电阻等特点，能够有效地保护电子设备免受静电、雷击等外电的干扰，提高设备的稳定性和可靠性。 技术特点： 1. 高浪涌电流能力：SMBJ24CA芯片具有出色的浪涌电流能力
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2024-10
Diodes品牌SMBJ33CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌推出了一款优秀的静电保护ESD芯片SMBJ33CA-13-F，它是一款高性能的TVS DIODE 33VWM，适用于各种电子设备的静电防护需求。该芯片采用了SMB技术，具有出色的性能和可靠性。 SMBJ33CA-13-F具有出色的瞬态浪涌抑制能力，可有效地保护电子设备免受静电、雷击等瞬态脉冲的损害。它具有极低的插入损耗，可提高通信系统的信噪比，从而提高了通信质量。此外，SMBJ33CA-13-F还具有自动恢复的能力，可有效地保护电路免受多次浪涌的损害。 该芯片适用于各种电子设备
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2024-10
Diodes品牌SMBJ12CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19.9VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ12CA-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用SMBJ12CA-13封装，具有出色的静电防护性能和可靠性。它采用TVS技术，具有极低的响应时间，能够快速响应瞬态静电放电（ESD）冲击，有效保护电路免受静电、雷击等灾害的影响。 SMBJ12CA-13的电气参数为：额定电压为12V，最大耗散功率为19.9W，最大反向电压为600V。它的主要特点包括低电容、低电感、低插入损耗和高脉冲功率等，适用于各种电路的静电保护应用中。 SMBJ12CA-13的方案应用非常广泛，可
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2024-10
Diodes品牌SMBJ15CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌旗下的SMBJ15CA-13-F静电保护ESD芯片是一款功能强大的静电保护器件，采用SMBJ封装技术，具有出色的电气性能和可靠性。该芯片属于TVS二极管范畴，是一种瞬态抑制器，能有效保护电路免受静电放电（ESD）攻击所产生的瞬态浪涌电压的损害。 SMBJ15CA-13-F的特点在于其低电容、低漏电流和高钳压特性，使其在各种恶劣环境条件下都能保持良好的性能。它的钳压能力高达15VWM，可有效抵御高达24.4kV的瞬态电压。此外，该芯片具有较短的响应时间，可迅速抑制瞬态浪涌，减少其
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2024-10
Diodes品牌SMBJ5.0CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ5.0CA-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用SMBJ5.0CA-13-F型号命名规则，具备TVS（Transient Voltage Suppressor）DIODE 5VWM 9.2VC SMB技术特点。该芯片在电子设备中起到关键的保护作用，能有效抑制静电放电（ESD）攻击，避免设备受到损害。 SMBJ5.0CA-13-F的技术特点包括TVS DIODE，这是一种独特的半导体器件，具有极高的瞬态电压抑制能力，同时保持低电阻导通状态。该芯片的5VWM规格表示
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2024-10
Diodes品牌SMBJ36CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ36CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB技术及应用介绍 Diodes品牌推出了一款卓越的静电保护ESD芯片SMBJ36CA-13-F，其独特的SMB技术，为电子设备提供了出色的静电保护。这款芯片采用了TVS DIODE 36VWM，具有58.1VC的出色钳位电压，可有效防止静电放电（ESD）对电子设备的损害。 SMBJ36CA-13-F采用先进的TVS二极管技术，能在瞬间吸收大量能量，将电涌降至设备可承受的电压范围内。这种
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2024-10
Nexperia品牌PESD3V3S1UB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 20VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD3V3S1UB是一款高效静电保护器件，采用SOD523封装，具有优良的电气性能和可靠性。这款静电保护芯片专为恶劣环境下的电子产品设计，能够有效保护电路免受静电放电（ESD）攻击。 在电子设备使用过程中，静电是一种常见的干扰源，尤其在某些恶劣环境下，如无尘室、潮湿环境等，静电对设备的损害更为严重。Nexperia PESD3V3S1UB通过吸收并传导这种瞬态过电压，将电路与潜在的ESD威胁隔离开来。 该芯片采用ESD保护技术，具有响应时间短、钳位电压准确、通流量大等特点
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2024-10
Diodes品牌D1213A-04S-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOT363的技术和方案应用介绍
Diodes品牌D1213A-04S-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOT363技术与应用介绍 Diodes品牌推出的D1213A-04S-7静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管，型号名称为D1213A-04S-7静电保护ESD芯片TVSDIODE3.3VWM10VC SOT363。这款芯片采用SOT363封装，适用于各种电子设备中，以保护其免受静电放电（ESD）的攻击。 该芯片具有出色的瞬态
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2024-10
STM品牌ESDCAN06-2BWY静电保护ESD芯片TVS DIODE 35VWM 59VC SOT323-3的技术和方案应用介绍
STM品牌ESDCAN06-2BWY静电保护ESD芯片TVSDIODE35VWM 59VC SOT323-3技术与应用介绍 STM品牌ESDCAN06-2BWY静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS技术，具有出色的浪涌保护性能。该芯片采用SOT323-3封装，适用于各种电子设备的静电保护应用。 该芯片的主要特点是具有快速响应特性，可在极短时间内将浪涌电流吸收并释放，从而有效地保护电子设备不受损坏。此外，该芯片还具有极低的反向漏电流，使其在关闭状态下不会浪费电能。 在实际应用中
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2024-10
Nexperia品牌PESD1CAN-UX静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 50VC SOT323的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD1CAN-UX静电保护芯片：技术与应用详解 Nexperia PESD1CAN-UX是一款高性能的静电保护芯片，采用PESD（防护单元优化保护）技术，具有优异的ESD（静电保护）性能。它是一款24VWM、50VC的TVS二极管，适用于各种电子设备的静电防护应用。 PESD1CAN-UX采用SOT323封装，具有低电容、低电感、高插入损耗等特点，使其在各种恶劣环境下都能表现出色。其独特的PESD技术使其在静电冲击时，能迅速吸收电流，将电压钳制在允许的范围内，保护电子设备