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2024-09
Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR技术与应用介绍 Littelfuse品牌的SMF5.0A静电保护ESD芯片,采用先进的TVS(Transient Voltage Suppressor)技术,具有出色的静电保护性能和可靠性。该芯片采用SOD123FL封装形式,适用于各种低功耗、低电压的电子产品,如智能手机、平板电脑、数码相机等。 SMF5.0A芯片采用先进的半导体工艺制造,具有高击穿电压、低漏电流、低反向电阻等优点。当
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ28A静电保护ESD芯片TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMBJ28A静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Littelfuse公司生产的SMBJ28A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用TVS技术,具有出色的浪涌保护性能。该芯片适用于各种28V系统,如电子设备、仪器仪表、通信设备等,能够有效抑制瞬态电压,保护电路免受浪涌电流的侵害。 技术特点: 1. 采用TVS技术,具有快速响应的能力,瞬态电压钳制能力强; 2. 动作后恢复时间短,不影响系统正常运行; 3. 工作温度范围宽,可靠性高; 4. 封
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2024-09
Diodes品牌SMBJ30A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ30A-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片,采用TVS DIODE 30VWM技术,具有出色的抗静电性能和可靠性。该芯片的额定电压为30V,最大反向漏泄电流为48.4mA,适用于各种电子设备的静电防护电路中。 SMBJ30A-13-F芯片采用SMB技术,具有高吸收能力,可在瞬间将静电电荷泄放,从而保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。该芯片的响应时间快,钳位电压稳定,能够有效地抑制瞬态过电压,保护电路免受静电损伤。 在方案应用方面,SMBJ30A-13-F芯片可
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2024-09
Littelfuse品牌SMBJ5.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌的SMBJ5.0A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件,采用DO214AA封装技术,具有高能量吸收能力,快速响应速度和低接触电阻等特点,适用于各种电子设备的静电保护应用。 该芯片采用TVS隧道二极管结构,具有优异的静电保护性能,能够有效抑制静电放电(ESD)冲击,保护电路免受静电放电的损坏。同时,该芯片还具有低电容、低漏电流、高钳压、体积小等特点,适用于各种电子设备的静电保护应用。 在应用方面,SMBJ5.0A可以应用于各种需要静电防护的场合,如计算机、通信、消
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2024-09
Diodes品牌SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌的SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片是一款非常实用的TVS(Transient Voltage Suppressor)二极管,适用于各种电子设备的静电保护方案。该芯片采用了SMBJ5.0A-13-F型号,具有高浪涌电流能力和快速的瞬态抑制特性,适用于各种电压范围,如5V和9.2V。 SMBJ5.0A-13-F芯片采用了先进的半导体技术,具有极低
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2024-09
Diodes品牌D5V0P4URL6SO-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 6VC SOT26的技术和方案应用介绍
标题:Diodes品牌D5V0P4URL6SO-7静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Diodes品牌D5V0P4URL6SO-7是一款优秀的静电保护ESD芯片TVS器件,采用3.3VWM 6VC SOT26技术,具有卓越的性能和可靠性。 该器件采用先进的TVS技术,能够在极短的时间内将瞬态电压和电流抑制在安全范围内,从而保护其他电子设备免受静电、雷击等自然灾害的损害。其出色的静电保护功能使其成为各种电子设备的理想选择,如手机、平板电脑、数码相机等。 该器件的应用范围广泛,可用于各种
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2024-09
Littelfuse品牌SP0402B-ULC-01ETG静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 10VC 0402/2DFN的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SP0402B-ULC-01ETG静电保护ESD芯片TVS二极管的技术与应用介绍 Littelfuse的SP0402B-ULC-01ETG静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管,专为各种电子设备设计,提供出色的静电保护功能。这款芯片采用先进的5VWM技术,具有低电容、低阻抗和高浪涌电流能力等特点,适用于各种应用场景。 技术特点: * 5VWM技术:该芯片采用先进的5VWM技术,具有低电容、低阻抗和高浪涌电流能力,确保在各种恶劣环境下都能提供稳定的静电保护功能。 *
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2024-09
Diodes品牌DRTR5V0U2SR-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM SOT143的技术和方案应用介绍
标题:Diodes品牌DRTR5V0U2SR-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5.5VWM SOT143技术与应用介绍 Diodes品牌DRTR5V0U2SR-7静电保护ESD芯片是一款出色的静电保护器件,采用SOT143封装,具有高吸收电流能力和低钳位电压,可有效防止静电、雷击和其他电涌对电子设备的损害。 DRTR5V0U2SR-7技术特点包括:采用TVS技术,具有极低的插入损耗和高脉冲功率能力;采用5.5VWM工作电压,适用于各种电子设备;具有快速响应特性,可在极短时间内将电压降至安
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2024-09
onsemi品牌DF3A6.8FUT1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 16VC SC70-3的技术和方案应用介绍
标题:onsemi品牌DF3A6.8FUT1G静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用详解 onsemi品牌的DF3A6.8FUT1G静电保护ESD芯片,是一款高性能的TVS二极管,具有5VWM的额定工作电压和16VC的静电容量,是电子设备防静电保护的理想选择。 首先,我们来了解一下TVS二极管的基本原理。TVS是一种瞬态抑制器,能在极短的时间内将瞬态过电压和瞬态电流进行吸收,从而保护电子设备免受过电压和过电流的损害。DF3A6.8FUT1G的特点在于其低插入损耗、低工作电压和优异的静电容量。
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2024-09
Diodes品牌SMAJ30CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMA的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMAJ30CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌推出了一款高性能的静电保护ESD芯片——SMAJ30CA-13-F,它采用TVS技术,具有30VWM的额定电压和48.4V的箝位电压,适用于各种电子设备的静电保护应用。这款芯片采用SMA封装,具有较小的外形尺寸和较高的性能,因此在许多应用中具有明显的优势。 SMAJ30CA-13-F芯片的技术特点包括高钳位电压、低插入损耗、低电容和低漏电流等。这些特点
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2024-09
Diodes品牌SMAJ36CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMA的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMAJ36CA-13-F静电保护ESD芯片TVS器件:技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMAJ36CA-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS(Transient Voltage Suppressor)器件,专门针对静电放电(ESD)攻击提供可靠的防护。这款器件采用Diodes品牌的SMAJ封装,具有小型、轻量、快速响应等特点,适用于各种电子设备的静电保护应用。 技术特点: * 额定电压:36V,工作电压范围为16V至45V; * 瞬态电压抑制(TVS)特性,能
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2024-09
Diodes品牌SMAJ15CA-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMA的技术和方案应用介绍
标题:Diodes品牌SMAJ15CA-13-F静电保护ESD芯片TVSDIODE 15VWM 24.4VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌SMAJ15CA-13-F静电保护ESD芯片是一款出色的静电保护器件,采用TVS DIODE 15VWM技术,具备高效防护静电、浪涌等干扰的能力。其规格参数为24.4VC,封装形式为SMA,适用于各类需要静电防护的电子设备。 首先,TVS DIODE 15VWM技术具有极高的响应速度和优异的瞬态抑制能力,能有效吸收各种瞬态干扰,确保设备安全。其次,