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2024-07
Nexperia品牌PESD3V3U1UA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD323的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD3V3U1UA，115静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM SOD323的技术和方案应用介绍 Nexperia PESD3V3U1UA是一款高性能的静电保护ESD芯片TVSDIODE，专门用于保护电子设备免受静电和瞬态电压的干扰。该芯片采用SOD323封装，具有3.3V的工作电压和快速响应时间，适用于各种应用场景。 技术特点： * 工作电压低：3.3V，适合低功耗应用； * 快速响应时间：可在纳秒级内将瞬态电压抑制在设备可承受的范围内； * 封装形式：
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2024-07
Nexperia品牌PESD5V0U1BA,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM SOD323的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0U1BA静电保护芯片技术与应用介绍 Nexperia PESD5V0U1BA是一款高品质的静电保护芯片，其独特的性能和出色的可靠性使其在各种应用中发挥重要作用。本篇文章将详细介绍PESD5V0U1BA的技术特点和方案应用。 技术特点： 1. Nexperia PESD5V0U1BA采用PESD5V0U1BA品牌，具备优异的静电防护性能，能有效保护电路免受静电和瞬间电磁干扰的损害。 2. 该芯片具有快速瞬态响应特性，可在极短的时间内吸收瞬态能量，从而有效地抑制瞬态
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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ5.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ5.0A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS Diode，它采用5VWM和9.2VC的规格，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片采用DO214AC封装形式，具有优异的电气性能和可靠性。 SMAJ5.0A采用先进的半导体技术，具有快速响应和低漏电流的特点。它能在短时间内吸收大量的静电电荷，从而保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。此外，该芯片具有极低的接触电阻，可以有效地将静电能量吸收到芯片内部，避免了静电能量向外部电路的扩散，从而降低了对周围电路的影响。
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2024-07
onsemi品牌SD12T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19VC SOD323的技术和方案应用介绍
标题：onsemi品牌SD12T1G静电保护芯片：技术与应用 onsemi品牌的SD12T1G静电保护ESD芯片，是一款出色的静电保护器件，具有TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管的特性，专为解决各种电气装置在恶劣环境下的静电防护问题而设计。该款芯片采用了SOD323封装，适用于各种12V的系统电压，具有卓越的电气性能和可靠性。 技术特点上，SD12T1G采用了先进的半导体工艺技术制造，具有极低的内阻，可以快速吸收大量的瞬时静电能量，从而有效地保护电子设备免
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2024-07
Infineon品牌ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.3VWM 21VC TSLP-2-20的技术和方案应用介绍
标题：Infineon品牌ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护芯片TVS二极管技术与应用介绍 随着电子设备的普及，静电保护的需求也日益增长。在此背景下，Infineon公司推出的ESD112B102ELE6327XTMA1静电保护芯片，以其卓越的性能和广泛的应用领域，成为了业界的焦点。 ESD112B102ELE6327XTMA1是一款高效的静电保护芯片，采用TVS二极管技术，具有极低的电容和高速响应的特点。其工作电压为5.3V，最大承受电流为21V，具有极高的脉冲功率和极低的
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2024-07
onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 3VWM 8VC SC74的技术和方案应用介绍
标题：onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS二极管DIODE的技术和方案应用介绍 onsemi品牌MMQA5V6T1G静电保护ESD芯片TVS二极管DIODE，是一款广泛应用于各类电子设备的静电保护器件。它采用先进的静电保护技术，具有高吸收电流能力、低钳位电压、低插入损耗、高可靠性和长寿命等特性，是电子设备防静电保护的理想选择。 首先，从技术角度看，该芯片采用了高速瞬态电压抑制器技术，具有极低的电容性，能够有效抑制瞬态电压和浪涌电流。同时，其独特的芯片结构和优化设计，使其
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2024-07
Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 8V 0603/SOD523F的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVSDIODE技术与应用介绍 Comchip品牌CPDU3V3UP静电保护ESD芯片TVSDIODE是一种专门针对静电放电（ESD）攻击进行保护的半导体器件。它采用先进的工艺技术和独特的电路设计，能够在极短的时间内吸收大量的瞬时电流，将电流的冲击降到最低，从而保护其他电子设备免受ESD的损害。 该芯片采用3.3VWM 8V的电压规格，具有0603/SOD523F两种封装形式，适用于各种电子设备的静电保护需求。其技术特点包括高钳压速度
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2024-07
Diodes品牌SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMAJ40A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVSDIODE，专为高电压、高电流应用环境设计。其工作电压低于40V，能承受超过64.5V的静电冲击，有效保护周边电子设备免受静电放电（ESD）的损害。 该芯片采用SMA（小型连接器）封装，具有较小的体积和优良的热传导性能，有利于提高电路的稳定性和可靠性。技术参数方面，其响应时间短，钳位电压
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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ28A静电保护ESD芯片TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ28A静电保护ESD芯片TVS器件的技术和方案应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMAJ28A静电保护ESD芯片TVS器件在业界享有盛誉。该器件是一款高性能的静电保护芯片，适用于各种高电压、高湿度环境下的静电防护应用。 SMAJ28A采用先进的TVS技术，具有优异的浪涌抑制能力。其工作电压低至28V，最大钳压高达45.4VC，能够有效地保护电子设备免受外部高电压冲击，避免设备损坏。此外，该器件还具有极低的反向漏电流，不影响电路的正
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2024-07
Diodes品牌SMAJ15A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMA的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌SMAJ15A-13-F静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Diodes品牌SMAJ15A-13-F静电保护ESD芯片是一款出色的静电保护器件，采用TVS（Transient Voltage Suppressor）技术，专门针对静电损伤进行保护。此款芯片具有出色的抗静电性能，能有效吸收瞬态电压，为各类电子设备提供可靠的保护。 首先，TVS技术具有极低的响应时间，能有效抑制瞬态电压，避免因静电、雷击等意外情况导致的设备损坏。其次，SMAJ15A-13-F芯片具有极
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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ6.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ6.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AC的技术与应用介绍 Littelfuse品牌SMAJ6.0A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用DO214AC封装技术，具有多种应用方案。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域、应用方案以及应用优势，帮助读者更好地了解该产品的应用价值。 一、技术特点 Littelfuse品牌SMAJ6.0A静电保护ESD芯片采用先进的TVS隧道二极管结构，具有高吸收电流、低钳位电压
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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ40A静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ40A是一款高性能静电保护ESD芯片TVSDIODE，采用40VWM，64.5VC，DO214AC封装形式。这款芯片具有出色的静电保护性能，适用于各种电子设备的静电防护应用。 SMAJ40A采用了先进的半导体技术，具有高瞬态浪涌吸收能力，能够有效保护电子设备免受静电，雷击和其他电涌的损害。其快速响应特性可大大降低电子设备损坏和数据丢失的风险。 该芯片适用于各种应用场景，如计算机，通信，消费电子，工业设备等。在设备端口，SMAJ40A可提供高效，可靠的静电保护，确