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2024-05
TI品牌TPD1E10B06DPYR静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 14VC 2X1SON的技术和方案应用介绍
标题：TI品牌TPD1E10B06DPYR静电保护芯片技术与应用介绍 TI品牌TPD1E10B06DPYR静电保护芯片是一款高效的静电保护器件，采用TPD1E10B06封装，具有独特的TVS（瞬态电压抑制器）DIODE技术。这款芯片不仅具备静电保护功能，还具有过流保护和反压保护等多重功能，能够有效地保护电子设备免受静电和瞬间过电压的侵害。 TPD1E10B06DPYR静电保护芯片的核心为ESD（静电保护）芯片，其独特的5.5VWM 14VC技术使得该芯片能够在低电压下实现高效保护。该芯片在静电
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2024-05
Nexperia品牌PESD5V0S1BB,115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌PESD5V0S1BB，115静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术与方案应用介绍 Nexperia的PESD5V0S1BB是一款静电保护ESD芯片TVSDIODE5VWM14VCSOD523，其采用了先进的半导体技术，具有极佳的静电保护性能和可靠性。该芯片适用于各种电子设备的静电保护，尤其在115V电压规格下表现出色。 该芯片具有快速响应特性，可在极短时间内吸收大量的瞬时功率，有效防止静电损坏设备。此外，其具有极低的接触电阻，可有效抑
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2024-05
Nexperia品牌PESD5V0S1BB,335静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOD523的技术和方案应用介绍
Nexperia PESD5V0S1BB静电保护芯片技术与应用 Nexperia PESD5V0S1BB是一款高品质的静电保护芯片，具有优异的性能和可靠性。它采用ESD5VWM，14VC规格，是一款高效的静电保护器件。该芯片适用于各种电子产品，特别是需要防止静电损伤的领域。 该静电保护芯片具有快速响应和低电容等特点，可在瞬间吸收大量静电能量，将电压钳位到安全水平，从而有效地保护电路不受静电损伤。其核心是肖特基二极管和半导体材料，具有优异的热稳定性和电导率，能够承受高电压和大电流的冲击。 应用方
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2024-05
Diodes品牌D5V0L2B3SO-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14VC SOT23的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌D5V0L2B3SO-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5VWM 14VC SOT23技术与应用介绍 Diodes品牌D5V0L2B3SO-7是一款优秀的静电保护ESD芯片TVSDIODE，采用5VWM，14VC规格的SOT23封装。这款芯片在技术上具有卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，以保护其免受静电放电（ESD）攻击所引起的损害。 首先，D5V0L2B3SO-7具有出色的瞬态电压响应能力，可在极短的时间内将电压降至安全水平，从而有效地保护电子设备免受瞬
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2024-05
Diodes品牌SD05-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 14.5VC SOD323的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌SD05-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5VWM 14.5VC SOD323的技术与应用介绍 Diodes品牌的SD05-7静电保护ESD芯片TVSDIODE 5VWM 14.5VC SOD323是一款广泛应用于各种电子设备的静电保护器件。该器件以其高效、可靠和易于使用的特性，成为了电子工程师们信赖的静电保护解决方案。 技术特点： 这款TVS器件采用Diodes独特的SOD323封装，具有超低的接触电阻，使其具有极高的瞬态二极管开启效率。同时，其具有极好的箝位电压
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2024-05
onsemi品牌ESDL2012MX4T5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN的技术和方案应用介绍
标题：onsemi ESDL2012MX4T5G静电保护TVS二极管芯片的强大应用 onsemi品牌ESDL2012MX4T5G静电保护TVS二极管芯片，是一款采用ESDL2012MX4T5G技术的高效能静电保护芯片，其具有出色的静电防护性能和稳定的电气性能。该芯片的工作电压为1VWM，最大额定功率为5.2VC，封装形式为2DFN。 该芯片在各种电子设备中具有广泛的应用前景。首先，在通信设备中，由于其高防护性能和低功耗，可以有效地保护设备免受静电和电磁干扰的影响。其次，在汽车电子设备中，由于汽
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2024-05
Littelfuse品牌SP3530-01ETG静电保护ESD芯片TVS DIODE 7VWM 11.8VC SOD882的技术和方案应用介绍
Littelfuse的SP3530-01ETG静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，具有7V至88V的宽电压输入范围和良好的静电保护特性。这款芯片适用于各种电子产品，尤其是那些对静电敏感的设备。 首先，我们来了解一下TVS二极管的基本原理。TVS是一种瞬态抑制器，能在瞬间承受高电压，并将电压限制在允许的范围内，从而保护电子设备不受电压波动的影响。SP3530-01ETG的特点在于其低插入损耗，高吸收电流能力和出色的静电防护性能。 方案应用方面，SP3530-01ETG适用于各种需要防静
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2024-05
Littelfuse品牌SP3030-01ETG静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 10VC SOD882的技术和方案应用介绍
Littelfuse的SP3030-01ETG静电保护ESD芯片是一款高品质的TVS二极管，适用于各种电子设备的静电防护。这款芯片具有高效、快速和可靠的特点，能够有效保护电路免受静电放电（ESD）的损害。 技术特点： * 快速响应：芯片能在纳秒级的时间内迅速切换导通状态，有效吸收瞬态电压。 * 高性能保护：芯片具有出色的箝位电压性能，可有效保护电路免受ESD冲击。 * 温度稳定性：芯片具有优良的温度特性，能在长时间使用中保持稳定的性能。 * 封装形式：采用小型SOD882封装形式，具有极低的接
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2024-05
onsemi品牌ESD8351XV2T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 11.2VC SOD523的技术和方案应用介绍
标题：onsemi品牌ESD8351XV2T1G静电保护芯片ESD TVS DIODE在3.3VWM和11.2VC中的应用方案 onsemi品牌的ESD8351XV2T1G静电保护芯片是一款高性能的静电保护器件，采用SOD523封装，具有优良的电气性能和可靠性。该芯片主要应用于各种微电子设备中，以防止静电或电磁干扰对其造成损害。 ESD8351XV2T1G TVS TVS DIODE器件是一种瞬态抑制器，能够快速响应并吸收瞬态电压脉冲，从而保护电子设备免受静电、电磁干扰和其他有害电压的侵害。其
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2024-05
Nexperia品牌PESD18VF1BLYL静电保护ESD芯片TVS DIODE 18VWM 17VC DFN1006-2的技术和方案应用介绍
Nexperia的PESD18VF1BLYL静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，采用DFN1006-2封装，适用于各种电子设备的静电保护。该芯片具有快速响应、低ESD接触电阻、高钳压和低电容等特点，能有效防止静电放电（ESD）对电子设备的损害。 首先，Nexperia PESD18VF1BLYL静电保护ESD芯片的应用领域十分广泛。它适用于各种需要防止静电损伤的电子设备，如计算机、通讯、消费电子、汽车电子等。其次，该芯片在应用中需要注意的工作电压范围为16V至30V，工作温度范围宽，
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2024-05
Nexperia品牌NUP1301,215静电保护ESD芯片TVS DIODE 80VWM 20VC TO236AB的技术和方案应用介绍
Nexperia品牌NUP1301：高性能静电保护ESD芯片TVS二极管的技术与应用介绍 Nexperia的NUP1301是一款高性能静电保护ESD芯片，其采用TVS（瞬态电压抑制器）二极管技术，具有出色的静电保护性能和稳定性。 TVS二极管是一种非线性半导体器件，能够吸收瞬态浪涌电流，并将其限制在设备所能承受的电压范围内。NUP1301采用80V的电压规格，能够有效地吸收高达2000V的静电电压，具有极高的耐压性能和低阻抗特性。 该芯片采用TO236AB封装形式，具有小巧的体积和良好的热导性
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2024-05
Diodes品牌D1213A-01WS-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOD323的技术和方案应用介绍
Diodes品牌D1213A-01WS-7静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOD323技术与应用介绍 Diodes品牌推出的D1213A-01WS-7静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS DIODE 3.3VWM 10VC SOD323型号，适用于各种电子设备的静电保护应用。 该芯片采用先进的TVS技术，具有快速响应、低漏电流、高钳压特性，能够有效抑制静电、雷击等瞬态干扰，保护电路不受损坏。其工作原理是在瞬态干扰作用下，芯片迅速响应并导通，将电压钳压在安全范围内