Littelfuse品牌SMBJ33A静电保护ESD芯片TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌旗下的SMBJ33A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护二极管，采用DO214AA封装，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有快速响应、低漏电流、高钳压和可靠性的特点，可有效抑制瞬态电压和静电放电的冲击，保护电路免受损坏。 技术特点： * 快速响应：SMBJ33A芯片能够在纳秒级内将电流从正常状态切换到保护状态，从而快速抑制瞬态电压。 * 低漏电流：芯片在正常状态下具有极低的静态功耗，不会影响电路的正常工作。 * 高钳压：芯片在承受高电压时仍能保持良好的电气性

Littelfuse品牌SMBJ24A静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌SMBJ24A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS DECOATECDIODE，适用于各种电子设备的静电保护应用。该芯片采用24VWM规格，具有高浪涌电流能力，可有效抑制瞬态电压和浪涌电流的冲击，保护电路免受静电和人为干扰的影响。 技术特点： * 采用微型封装DO214AA，具有高功率容量和高浪涌电流能力； * 工作电压范围为24V，可适应各种设备的电压需求； * 采用先进的半导体工艺，具有优异的电气性能和可靠性； * 具有快速响应速度和极低的接触电阻，可有效抑制瞬态电

Diodes品牌SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB的技术和方案应用介绍

Diodes品牌SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌推出了一款卓越的静电保护ESD芯片SMBJ36A-13-F，它采用了TVS技术，是一款高性能的半导体器件，专门设计用于吸收来自外界的静电放电能量。这款SMBJ36A-13-F静电保护芯片采用了独特的SMB（Small Package Size）封装，具有体积小、效率高的特点，适用于各种电子设备中。 SMBJ36A-13-F静电保护ESD芯片采用了36V

Littelfuse品牌SMBJ18A静电保护ESD芯片TVS DIODE 18VWM 29.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌SMBJ18A是一款高性能静电保护ESD芯片TVS DECO，采用18VWM，29.2VC的DO214AA封装技术，适用于各种电子设备的静电保护应用。 首先，SMBJ18A具有出色的静电保护性能，能够有效抑制静电放电（ESD）引起的电路损坏。其快速响应和低钳位电压性能使其成为各种电子设备的理想选择。此外，SMBJ18A采用先进的封装技术，具有出色的热导率和耐久性，可确保长时间稳定运行。 在应用方面，SMBJ18A适用于各种电子设备的电源电路、接口电路和芯片等关键部位。它

Littelfuse品牌SMBJ36A静电保护ESD芯片TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌旗下的SMBJ36A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护二极管，具有DO214AA的封装技术，适用于各种电子设备的静电防护应用。该芯片具有36V的额定工作电压，能够有效抑制高达58.1V的瞬态电压，从而保护电子设备免受静电放电(ESD)的损害。 SMBJ36A芯片采用先进的半导体工艺技术制造，具有高浪涌吸收能力、低电容、低漏电流等特点，同时具有极低的开启电压和快速响应特性，可在极短的时间内将电流导通，将电压钳位在安全范围内，从而保护电路免受瞬态电压的损害。 在方案应

Diodes品牌SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC SMB的技术和方案应用介绍

Diodes品牌SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Diodes品牌推出的SMBJ24A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）器件，采用SMBJ封装技术，适用于24V电压应用环境。该芯片具有出色的静电保护性能，能够有效抑制瞬态电压、浪涌电流等不良因素，确保电子设备的稳定运行。 SMBJ24A-13-F芯片采用Diodes品牌独特的WM技术，具有高吸收电流的能力，可在瞬态电压冲击下迅速导通，将

Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片TVS DIODE 60VWM 96.8VC DO214AA的技术与方案应用介绍 Littelfuse品牌SMBJ60A静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS半导体二极管，具有60V的额定工作电压和快速响应特性，适用于各种电子设备的静电保护。这款TVS二极管采用DO214AA封装形式，具有优良的电气性能和可靠性。 技术特点： 1. 高性能：SMBJ60A具有高浪涌吸收能力，能有效抑制瞬态电压和浪涌电流，保护电子设备免受静电冲击。 2. 快

Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌SMF5.0A静电保护ESD芯片TVS SOD123FL 5V 200W UNIDIR技术与应用介绍 Littelfuse品牌的SMF5.0A静电保护ESD芯片，采用先进的TVS（Transient Voltage Suppressor）技术，具有出色的静电保护性能和可靠性。该芯片采用SOD123FL封装形式，适用于各种低功耗、低电压的电子产品，如智能手机、平板电脑、数码相机等。 SMF5.0A芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高击穿电压、低漏电流、低反向电阻等优点。当

Littelfuse品牌SMBJ28A静电保护ESD芯片TVS DIODE 28VWM 45.4VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌SMBJ28A静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Littelfuse公司生产的SMBJ28A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用TVS技术，具有出色的浪涌保护性能。该芯片适用于各种28V系统，如电子设备、仪器仪表、通信设备等，能够有效抑制瞬态电压，保护电路免受浪涌电流的侵害。 技术特点： 1. 采用TVS技术，具有快速响应的能力，瞬态电压钳制能力强； 2. 动作后恢复时间短，不影响系统正常运行； 3. 工作温度范围宽，可靠性高； 4. 封

Diodes品牌SMBJ30A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB的技术和方案应用介绍

Diodes品牌SMBJ30A-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用TVS DIODE 30VWM技术，具有出色的抗静电性能和可靠性。该芯片的额定电压为30V，最大反向漏泄电流为48.4mA，适用于各种电子设备的静电防护电路中。 SMBJ30A-13-F芯片采用SMB技术，具有高吸收能力，可在瞬间将静电电荷泄放，从而保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。该芯片的响应时间快，钳位电压稳定，能够有效地抑制瞬态过电压，保护电路免受静电损伤。 在方案应用方面，SMBJ30A-13-F芯片可

Littelfuse品牌SMBJ5.0A静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AA的技术和方案应用介绍

Littelfuse品牌的SMBJ5.0A静电保护ESD芯片是一款高性能的静电保护器件，采用DO214AA封装技术，具有高能量吸收能力，快速响应速度和低接触电阻等特点，适用于各种电子设备的静电保护应用。 该芯片采用TVS隧道二极管结构，具有优异的静电保护性能，能够有效抑制静电放电（ESD）冲击，保护电路免受静电放电的损坏。同时，该芯片还具有低电容、低漏电流、高钳压、体积小等特点，适用于各种电子设备的静电保护应用。 在应用方面，SMBJ5.0A可以应用于各种需要静电防护的场合，如计算机、通信、消

Diodes品牌SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和方案应用介绍

Diodes品牌SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB的技术和应用介绍 Diodes品牌的SMBJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片是一款非常实用的TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管，适用于各种电子设备的静电保护方案。该芯片采用了SMBJ5.0A-13-F型号，具有高浪涌电流能力和快速的瞬态抑制特性，适用于各种电压范围，如5V和9.2V。 SMBJ5.0A-13-F芯片采用了先进的半导体技术，具有极低