onsemi品牌ESD9B3

标题：onsemi品牌ESD9B3.3ST5G静电保护芯片——TVS技术与应用 onsemi品牌ESD9B3.3ST5G静电保护芯片是一款优秀的静电保护器件，采用先进的TVS技术，专为各种电子设备提供卓越的静电保护解决方案。这款芯片采用SOD923封装，具有高吸收电流能力，适用于各种环境条件下的静电防护需求。 TVS技术是一种瞬态抑制技术，具有极低的响应时间，能够快速吸收瞬态浪涌电流，从而有效地保护电子设备不受静电、雷击等灾害性天气的影响。ESD9B3.3ST5G芯片采用高分子材料制造，具有优

Toshiba品牌DF2S5M4CT,L3F静电保护ESD芯

Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode技术与应用介绍 Toshiba品牌DF2S5M4CT L3F静电保护ESD芯片TVS Diode是一种高性能的静电保护器件，具有3.6VWM的工作电压和15V的箝位电压，适用于各种电子设备的静电保护。 该芯片采用L3F静电保护技术，具有出色的抗静电性能和快速响应速度。在静电保护方面，L3F技术通过将TVS二极管与半导体保护电路相结合，能够在瞬间吸收大量的静电能量，从而有效地保护电子设备免受静电放电（ESD）的损害。

TVS DIODE 5

Vishay品牌VBUS05B1-SD0-G4-08静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 Vishay品牌的VBUS05B1-SD0-G4-08静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，具有5.5VWM的额定电压和18VC的静电容量，适用于各种电子设备的静电防护。 该芯片采用了先进的TVS技术，具有快速响应、高钳压、低漏电流等特点，可以在瞬态电压浪涌时吸收功率，防止浪涌电流对电路的破坏。同时，该芯片还具有极低的反向漏电流，不会对电路的正常工作产生影响。 在应用方面，VBUS0

D20V0L1B2LP

标题：Diodes品牌D20V0L1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 20VWM 34VC DFN1006-2的技术与应用介绍 Diodes品牌D20V0L1B2LP-7B是一款优秀的静电保护ESD芯片TVS DIODE 20VWM 34VC DFN1006-2，它采用先进的半导体技术，具有卓越的静电保护性能和可靠性。该芯片适用于各种电子设备的静电防护，如计算机、通信设备、消费电子产品等，能够有效保护内部电路不受静电、雷击等外力影响，确保设备正常运行。 该芯片具有快速响应、低

D12V0L1B2LP

标题：Diodes D12V0L1B2LP-7B静电保护芯片：高效、可靠的静电保护方案 Diodes品牌近期推出了一款名为D12V0L1B2LP-7B的静电保护芯片，其卓越的性能和可靠性使其成为电子设备防静电保护的理想选择。这款静电保护芯片采用了先进的TVS技术，具有快速响应和低漏电流的特点，能有效抑制瞬态电压和瞬态电流的侵害。 技术特点： D12V0L1B2LP-7B采用了DFN1006-2封装，具有小型化和轻量化的特点，适用于各种便携式设备。其工作电压低至12V，最大钳压为6.2V，能够承

Diodes品牌D5V0P1B2LP

Diodes品牌D5V0P1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 13VC DFN1006-2的应用介绍 Diodes品牌推出的D5V0P1B2LP-7B静电保护ESD芯片是一款非常出色的TVS diode，它具有5.5VWM的额定电压和出色的静电保护能力。这款芯片采用了DFN1006-2封装，非常适合在紧凑的空间内提供出色的静电保护。 技术特性 * 高瞬态电压抑制能力 * 5.5V的额定电压 * 快速的瞬态响应 * 纤薄、小型化的DFN封装 * 适用于各种应用领域

Diodes品牌DESD5V0U1BL

Diodes品牌DESD5V0U1BL-7B静电保护ESD芯片TVS器件介绍 Diodes品牌DESD5V0U1BL-7B是一款高性能的静电保护芯片，采用DFN1006-2封装，具有5VWM的工作电压和7.2VC的钳位电压。这款静电保护器件具有出色的静电防护性能，能够有效吸收瞬态电压，保护电路免受静电、电磁干扰等有害因素的影响。 技术特点： * 工作电压范围：5V至30V； * 静电防护性能优异； * 快速响应速度； * 钳位电压可调； * 体积小，易于集成。 应用方案： * 电子产品：适用于

Diodes品牌D5V0H1B2LP

Diodes品牌D5V0H1B2LP-7B静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 12.5VC 2DFN技术与应用介绍 Diodes品牌推出了一款优秀的静电保护芯片D5V0H1B2LP-7B，它是一款高性能的TVS二极管，采用2DFN封装技术，具有出色的性能和可靠性。这款芯片具有5.5VWM的电压规格，能承受高达12.5VC的静电放电冲击，有效保护电路免受静电放电的破坏。 2DFN封装技术是一种先进的微型封装技术，具有小型化、高可靠性和易于生产等优点。D5V0H1B2LP-7B采用

Infineon品牌ESD108B1CSP0201XTSA1

标题：Infineon品牌ESD108B1CSP0201XTSA1静电保护芯片ESD TVS二极管技术与应用介绍 随着电子设备的普及，静电保护（ESD）问题日益凸显。为了有效应对这一挑战，Infineon公司推出了一款高效静电保护芯片——ESD108B1CSP0201XTSA1。这款ESD TVS二极管以其独特的性能和特点，成为了电子设备防静电保护的重要一环。 ESD108B1CSP0201XTSA1是一款高性能的静电保护器件，其工作电压为5.5V，最大耗散功率为41W。此外，其瞬态二极管阵列

onsemi品牌ESD9X5

标题：onsemi品牌ESD9X5.0ST5G静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 onsemi品牌ESD9X5.0ST5G静电保护ESD芯片是一款高质量的静电保护器件，专门针对高能量瞬态静电脉冲设计。其独特的TVS（Transient Voltage Suppressor）技术能有效防止电子设备在恶劣环境下的损坏，提供可靠的静电防护解决方案。 ESD9X5.0ST5G采用SOD923封装，具有超小的体积和良好的热导性能，适用于各种环境复杂的应用场景。该芯片具有极低的电容和电感，响应速

onsemi品牌ESD9B5

标题：onsemi品牌ESD9B5.0ST5G静电保护ESD芯片TVS器件的技术和方案应用介绍 onsemi品牌的ESD9B5.0ST5G静电保护ESD芯片，是一款采用SOD923封装的高效能静电保护器件，具有出色的瞬态电压抑制性能。该芯片适用于各种电子设备的静电保护，尤其在5VWM电压范围内，具有优异的电气性能和可靠性。 首先，ESD9B5.0ST5G芯片采用了先进的半导体工艺技术，具有极低的导通电阻，能够快速吸收高达数千伏的瞬态电压，有效防止静电、雷击等过电压的损害。同时，其超小的封装尺寸

Diodes品牌DESD3V3E1BL

Diodes品牌DESD3V3E1BL-7B静电保护ESD芯片TVS器件的应用介绍 DESD3V3E1BL-7B是一款优秀的静电保护芯片，采用Diodes品牌独特技术制造，具有出色的静电防护性能。该芯片采用DFN1006-2封装，适用于各种3.3V低电压系统，尤其适合在微电子、电子设备、通讯、消费类电子产品等领域应用。 DESD3V3E1BL-7B静电保护芯片采用TVS技术，具有极高的瞬态浪涌抑制能力，能有效保护周边设备免受静电、雷击等瞬态干扰的影响。芯片内部集成有ESD静电保护功能和3.3V