欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:ESD静电保护(静电测试)静电防护芯片采购平台 > 话题标签 > Infineon

Infineon 相关话题

TOPIC

一、简介 Infineon英飞凌的FD16001200R17HP4KB2BOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1700V,电流容量为1600A,总功率达到惊人的1050W。这种模块广泛应用于各种高电压、大电流的场合,如电力电子、新能源、电动汽车等领域。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1700V,为电路设计提供了更大的灵活性。 2. 电流容量:模块的电流容量为1600A,能够承受较大的瞬时过载电流。 3. 总功率:模块的总功率为1050W,意味着它可以驱动大
标题:Infineon(IR) AIMDQ75R040M1HXUMA1功率半导体:AUTOMOTIVE_SICMOS技术的卓越应用 在当今的电子设备市场中,功率半导体起着至关重要的作用。作为电子设备的核心组成部分,功率半导体器件的性能和效率直接影响着整个系统的性能和能耗。Infineon(IR)的AIMDQ75R040M1HXUMA1功率半导体器件,以其独特的AUTOMOTIVE_SICMOS技术,为这一领域带来了显著的突破。 AIMDQ75R040M1HXUMA1是一款高性能的功率半导体,采
标题:Infineon品牌IKW60N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon品牌IKW60N60H3FKSA1半导体IGBT,一款性能卓越的功率半导体器件,以其独特的TRENCH/FS结构,适用于各种高电压大电流应用场景。该器件采用TO247-3封装,具有高耐压、大电流输出能力,以及优异的热稳定性,使其在工业、电源和电机控制等领域具有广泛的应用前景。 技术特点: * 600V、80A的额定电压和电流,满足大部分高
随着电子技术的快速发展,IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为一种重要的功率半导体器件,在电力电子领域得到了广泛应用。Infineon英飞凌的FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD就是一款具有代表性的产品。本文将介绍该模块的参数及方案应用。 一、参数介绍 FF225R12MS4BOSA1模块IGBT MOD是一款适用于交流电机控制、变频器、电源设备等领域的1200V、275A、1450W的大功率IGBT模块。其主要参数如下: 1. 电压:1200V; 2. 电流:275A; 3. 功率
标题:Infineon(IR) IKFW90N65ES5XKSA1功率半导体:技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,功率半导体在工业、商业和家庭中的广泛应用已经成为了现代社会的基础。今天,我们将详细介绍一款备受瞩目的功率半导体——Infineon(IR) IKFW90N65ES5XKSA1。这款功率半导体的出色性能和独特技术,使其在业界14PG-HSIP247-3中占据了重要地位。 首先,让我们来了解一下这款半导体的基本参数。IKFW90N65ES5XKSA1是一款高性能的N-MOS功率半导体,
标题:Infineon IGW75N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3技术解析与方案介绍 随着科技的不断进步,半导体技术也在飞速发展。今天,我们将为您详细介绍Infineon品牌IGW75N60H3FKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 140A TO247-3的技术和方案。 首先,让我们了解一下IGBT的基本概念。IGBT是一种复合型功率半导体器件,具有较高的开关频率和较低的开关损耗,因此在各种电力电子设备中得到了广泛应用
Infineon英飞凌FD400R12KE3B5HOSA1模块IGBT MOD 1200V 580A 2000W:参数解析与方案应用 一、简介 Infineon英飞凌的FD400R12KE3B5HOSA1模块是一款高性能的IGBT模块,其工作电压高达1200V,电流容量为580A,总功率达到2000W。这款模块广泛应用于各种大功率电子设备,如逆变器、电机驱动、电源转换器等。 二、参数详解 1. 工作电压:该模块的工作电压高达1200V,保证了在高压大电流工作条件下,仍能保持稳定的电气性能。 2
标题:Infineon(IR) AIMBG75R040M1HXTMA1功率半导体:AUTOMOTIVE_SICMOS技术及其应用介绍 在当今的电子设备中,功率半导体起着至关重要的作用。它们负责在电力转换过程中提供高效且可靠的能源。Infineon(IR)的AIMBG75R040M1HXTMA1功率半导体,采用AUTOMOTIVE_SICMOS技术,为各种应用提供了出色的性能。 首先,让我们了解一下AUTOMOTIVE_SICMOS技术。这是一种先进的硅基技术,采用超快速晶体管,能够在极短的时间
标题:Infineon品牌AIGW40N65F5XKSA1半导体IGBT 650V TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术概述 Infineon品牌AIGW40N65F5XKSA1半导体IGBT 650V TO247-3是一种新型高效功率半导体器件,广泛应用于各种工业和家用电器中,如电机驱动、电源转换器和充电桩等。该器件采用先进的沟槽栅极技术,具有高饱和电压、高输入阻抗和快速开关特性,能够有效降低能耗和提升系统效率。 二、技术特点 1. 650V的耐压性能,满足不同应用场景的需求; 2.
标题:Infineon(IR) IKW60N60H3FKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术在现代工业中的应用越来越广泛。作为电力转换的核心器件,功率半导体IGBT在各种设备中发挥着至关重要的作用。Infineon(IR)的IKW60N60H3FKSA1功率半导体IGBT以其独特的技术和方案应用,在电力转换领域中独树一帜。 IKW60N60H3FKSA1采用TRENCH/FS 600V技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特性,适用于各种需要大功率转换的设备。其