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2024-07
Littelfuse品牌SMAJ40A静电保护ESD芯片TVS DIODE 40VWM 64.5VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ40A是一款高性能静电保护ESD芯片TVSDIODE，采用40VWM，64.5VC，DO214AC封装形式。这款芯片具有出色的静电保护性能，适用于各种电子设备的静电防护应用。 SMAJ40A采用了先进的半导体技术，具有高瞬态浪涌吸收能力，能够有效保护电子设备免受静电，雷击和其他电涌的损害。其快速响应特性可大大降低电子设备损坏和数据丢失的风险。 该芯片适用于各种应用场景，如计算机，通信，消费电子，工业设备等。在设备端口，SMAJ40A可提供高效，可靠的静电保护，确
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2024-06
Littelfuse品牌SMAJ12A静电保护ESD芯片TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ12A静电保护ESD芯片TVS器件的技术与应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMAJ12A静电保护ESD芯片TVS器件在业界享有盛誉。该器件是一种高效能的静电保护器件，具有出色的浪涌抑制能力，适用于各种高电压、高频率的电气环境。 SMAJ12A采用先进的半导体技术，具有极低的电容和电阻，能够快速响应瞬态电压，有效地抑制瞬态干扰，保护电路免受静电、雷击等恶劣环境的影响。该器件采用DO214AC封装，符合RoHS标准，环保无铅，易于安
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2024-06
Diodes品牌SMAJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMA的技术和方案应用介绍
Diodes品牌SMAJ5.0A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌推出了一款高性能的静电保护芯片——SMAJ5.0A-13-F，它是一款符合JEDEC标准的TVS（Transient Voltage Suppressor）器件，专门用于保护电子设备免受静电放电（ESD）的攻击。这款芯片采用SMA封装，具有小型化、轻量化和高可靠性的特点，适用于各种电子设备中。 技术特点： * 芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高吸收电流的
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2024-06
Littelfuse品牌SMAJ30A静电保护ESD芯片TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ30A静电保护ESD芯片TVS器件的技术与方案应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMAJ30A静电保护ESD芯片TVS器件在众多领域中具有广泛的应用。该器件采用DO214AC封装，具有高抗静电能力，适用于各种电子设备的静电保护。 SMAJ30A器件采用先进的半导体技术，具有快速响应、低漏电流、高钳压和良好的瞬态冲击性能。其工作原理是在瞬态电压冲击时，器件迅速导通，将电压限制在设备可以承受的范围内，从而保护内部电路不受损坏。 该器件
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2024-06
Diodes品牌SMAJ28A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 28VWM 45.4VC SMA的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌SMAJ28A-13-F静电保护ESD芯片TVSDIODE 28VWM 45.4VC SMA技术与应用介绍 Diodes品牌SMAJ28A-13-F静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS（Transient Voltage Suppressor）二极管，专门针对28VWM的电压范围进行设计，具有出色的静电保护功能。该芯片采用SMA（Small Metal封装）技术，具有体积小、重量轻、散热性能好等优点，适用于各种电子设备中防止静电放电损伤电路。 在技术应用方面，SMAJ2
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2024-06
Diodes品牌SMAJ58A-13-F静电保护ESD芯片TVS DIODE 58VWM 93.6VC SMA的技术和方案应用介绍
标题：Diodes品牌SMAJ58A-13-F静电保护ESD芯片TVSDIODE 58VWM 93.6VC SMA技术应用介绍 Diodes品牌SMAJ58A-13-F是一款优秀的静电保护ESD芯片，采用TVS DIODE 58VWM技术，具有出色的静电防护性能。这款芯片的额定电压高达93.6V，能够承受高达百万伏的静电放电电压，保护电子设备免受静电放电的损伤。 在技术应用方面，SMAJ58A-13-F可用于各种电子设备中，尤其在高速数据传输、精密仪器仪表、高端电子元器件等领域应用广泛。它能在
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25
2024-06
onsemi品牌NUP4301MR6T1G静电保护ESD芯片TVS DIODE SC74的技术和方案应用介绍
标题：onsemi NUP4301MR6T1G静电保护芯片——ESD保护解决方案 onsemi NUP4301MR6T1G静电保护芯片是一款高性能的ESD（静电保护）芯片，采用SEMI品牌，以其卓越的TVS（瞬态电压抑制）性能和出色的DIODE SC74技术而闻名。这款芯片在各种恶劣环境下都能提供可靠的静电保护，为电子设备提供全面的防护。 NUP4301MR6T1G具有高吸收电流的能力，可在瞬态高电压冲击下迅速响应，将电压钳位在安全水平以下。其SC74技术更是大大提高了芯片的抗静电能力，即使在
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2024-06
Littelfuse品牌SMAJ24A静电保护ESD芯片TVS DIODE 24VWM 38.9VC DO214AC的技术和方案应用介绍
Littelfuse品牌SMAJ24A静电保护ESD芯片TVS器件的技术和方案应用介绍 Littelfuse是一家全球知名的电子元器件供应商，其SMAJ24A静电保护ESD芯片TVS器件在业界享有盛誉。该器件是一种高性能的静电保护器件，具有快速响应、低漏电流、高钳压等特点，适用于各种电子设备的静电防护电路。 SMAJ24A的核心技术在于其独特的半导体材料和精密制造工艺。该器件能够在极短的时间内响应静电放电（ESD）冲击，将瞬间的高电压和电流限制在有限的范围内，从而保护电子设备免受损坏。此外，该
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2024-06
onsemi品牌ESD8011MUT5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5.5VWM 19VC 2X3DFN的技术和方案应用介绍
标题：onsemi ES8011MUT5G静电保护芯片：5.5VWM 19VC 2X3DFN技术与应用详解 onsemi ES8011MUT5G是一款优秀的静电保护芯片，采用ESD8011MUT5G静电保护型号，具备TVS二极管器件的结构，适用于各种电子设备的静电防护需求。该芯片以其独特的5.5V工作电压、高电容值、高功率等特性，成为了市场上的热门选择。 首先，我们来了解一下ESD8011MUT5G的技术特点。这款芯片采用了先进的TVS二极管技术，可以在瞬态瞬变电压波峰因数倍于常态电压而发生大
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2024-06
TI品牌ESD321DPYR静电保护ESD芯片TVS DIODE 3.6VWM 6.8VC 2X1SON的技术和方案应用介绍
TI品牌ESD321DPYR静电保护ESD芯片TVS二极管的技术和方案应用介绍 TI品牌ESD321DPYR是一款高性能的静电保护ESD芯片，采用TVS二极管技术，具有出色的静电防护性能。该芯片具有3.6VWM和6.8VC的电压规格，适用于各种电子设备的静电防护应用。 ESD321DPYR芯片采用先进的半导体工艺制造，具有高钳压、低电容、高隔离电压等优点，能够有效抑制静电、电磁干扰等有害信号的侵入，保护电子设备免受损坏。该芯片还具有2X1SON的技术特点，可以实现高集成度、低成本、小尺寸的封装
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2024-06
Comchip品牌CPDUR5V0HE-HF静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 16VC 0603/SOD523F的技术和方案应用介绍
标题：Comchip品牌静电保护技术：CPDUR5V0HE-HF TVS二极管芯片的应用介绍 Comchip品牌在静电保护领域一直以其卓越的技术和方案而闻名。今天，我们将详细介绍CPDUR5V0HE-HF静电保护ESD芯片及其TVS二极管DIODE 5VWM 16VC 0603/SOD523F的应用。 CPDUR5V0HE-HF是一款高性能的静电保护芯片，采用先进的ESD（静电保护）技术，具有极低的电容和高速响应特性。其核心是TVS二极管DIODE，具有高能量吸收能力，能有效防止静电、电磁干扰
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2024-06
onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片TVS DIODE 5VWM 7VC SOD923的技术和方案应用介绍
标题：onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片TVS二极管技术与应用介绍 onsemi品牌SZESD9101P2T5G静电保护ESD芯片是一款高性能的TVS二极管，采用SOD923封装，适用于各种电子设备的静电保护。该芯片具有5VWM的额定电压和7V的箝位电压，能有效防止静电和电磁干扰对电子设备的损害。 技术特点： 1. 快速瞬态抑制特性，能有效吸收瞬态脉冲电流； 2. 钳位电压低，具有高钳位电压抑制能力； 3. 封装形式小，适用于小型化、轻量化的电子设备； 4. 静电保